Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.4

_{98 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

IRF7351TRPBF, Транзистор HEXFET, 2N-канала 60В 8А [SO-8] Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0178 Ом/8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 18 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		320 руб. × от 25 шт. — 296 руб.
IRF7380TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 80В, 3.6А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 80 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.073 Ом/2.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 4.3 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		160 руб. × от 25 шт. — 135 руб.
IRF7907TRPBF, Транзистор 2хN-канала 30В 11А, [SO-8] Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0164 Ом/9.1А, 10В/0.0118 Ом/11А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 19/24 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		440 руб. × от 25 шт. — 419 руб.
IRF8313TRPBF, Транзистор 2N-MOSFET 30В 9.7A [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0155 Ом/9.7А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 23 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		150 руб. × от 25 шт. — 138 руб.
IRF9358TRPBF, Транзисто, 2P-канала 30В 9.2А [SO-8] Бренд: Infineon Структура: 2P-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0163 Ом/9.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 23 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		150 руб. × от 25 шт. — 126 руб.
IRF9362TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2P-канала, 30В, 8А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: 2P-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.021 Ом/8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 12 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		130 руб. × от 25 шт. — 106 руб.
IRF9389TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 30В 6.8/-4.6А [SO-8] Бренд: Infineon Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.8/4.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.027 Ом/6.8А, 10В/0.064 Ом/4.6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 8.2/4.1 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		230 руб. × от 25 шт. — 194 руб.
IRF9956TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 30В, 3.5А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/2.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 12 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		77 руб. × от 25 шт. — 68 руб.
IRFTS8342TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 8.2А [TSOP-6] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.019 Ом/8.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 12 Корпус: TSOP-6/TSOT-23-6	быстрый просмотр		130 руб. × от 5 шт. — 114 руб.
IRFTS9342TRPBF, Транзистор, Р-канал 30В 5.9А [TSOP-6] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.04 Ом/5.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 6.8 Корпус: TSOP-6/TSOT-23-6	быстрый просмотр		150 руб. × от 50 шт. — 130 руб.
IRL6372TRPBF, Транзистор, 2N-канала 30В 8.1А [SO-8] Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0179 Ом/8.1А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 30 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		130 руб. × от 25 шт. — 93 руб.
IRLMS2002TRPBF, МОП-транзистор MOSFET 20V 6.5A 30mOhm 15nC Log Lvl, [TSOP-6] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03 Ом/6.5А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 13 Корпус: Micro-6/SOT-23-6	быстрый просмотр		90 руб. × от 15 шт. — 78 руб.
IRLMS6802TRPBF, Транзистор, P-канал 20В 5.6А logic [Micro-6 / TSOP-6] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/5.1А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 1.5 Корпус: Micro-6/SOT-23-6	быстрый просмотр		70 руб. × от 50 шт. — 61 руб.
IRLTS2242TRPBF, Транзистор, P-канал 20В 6.9A [Micro-6 / TSOP-6] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.032 Ом/6.9А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 8.5 Корпус: Micro-6/SOT-23-6	быстрый просмотр		60 руб. × от 20 шт. — 56 руб.
NDS9948, Транзистор 2P-канала 60В 2.3А 0.25Ом [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Структура: 2P-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.25 Ом/2.3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 5 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		110 руб. × от 10 шт. — 94 руб.
STS4DNF60L, Транзистор, STripFET, N-канал, 60В, 0.045Ом, 4A [SO-8] 990 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.055 Ом/2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 25 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	990 шт.	180 руб. × от 25 шт. — 170 руб.
FDS4559, Транзистор N/P-CH 60V 4.5/3.5A [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.5/3.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.055 Ом/4.5А, 10В/0.105 Ом/3.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 14/9 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		41 руб. × от 25 шт. — 37 руб.
FDS9945, Транзистор, PowerTrench, 2N-канала 60В 3.5А [SO-8] Бренд: Fairchild Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/3.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 8.6 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		69 руб. × от 10 шт. — 58 руб.
IRF7329PBF, 2Pкан -12В -9.2А SO8 Бренд: IR Структура: 2P-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 12 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.017 Ом/9.2А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 25 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		25 руб. × от 35 шт. — 24 руб.
IRF9358PBF, Транзисто, 2P-канала 30В 9.2А [SO-8] Бренд: IR Структура: 2P-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0163 Ом/9.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 23 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		56 руб. × от 10 шт. — 50 руб.