Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.2

31 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
STB9NK60ZT4, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал 600В 7А [D2-PAK]
757 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.95 Ом/3.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 5.3
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
757 шт.
420 руб. ×
от 15 шт. — 383 руб.
STP11NK50Z, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал, 10А, 500В, 0.48Ом [TO-220AB]
113 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.52 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 7.7
Корпус: to-220
быстрый просмотр
113 шт.
190 руб. ×
от 15 шт. — 151 руб.
STP9NK60Z, Транзистор MOSFET N-канал 600В 7А [TO-220]
309 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.95 Ом/3.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Корпус: to-220
быстрый просмотр
309 шт.
150 руб. ×
от 15 шт. — 140 руб.
STW23NM50N, Транзистор N-MOSFET 500В 17А 125Вт [TO-247]
292 шт.
Бренд: Inchange
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.19 Ом/8.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
292 шт.
640 руб. ×
от 15 шт. — 594 руб.
2SK727, Транзистор N-канал 900В 5А 125Вт [SC-65]
4 шт.
Бренд: Fuji Electric
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.5 Ом/2.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 6
Корпус: sc-65
быстрый просмотр
4 шт.
160 руб. ×
BUZ30AH3045AATMA1, Транзистор, SIPMOS, 200В, 21А, 0.13 Ом, [PG-TO-263-3]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 21
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.13 Ом/13.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 15
Корпус: PG-TO263-3
быстрый просмотр
75 руб. ×
от 15 шт. — 68 руб.
FCP11N60F, Транзистор, N-канал 600В 11А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.38 Ом/5.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 9.7
Корпус: to-220
быстрый просмотр
370 руб. ×
от 15 шт. — 360 руб.
IRF9640SPBF, Транзистор, P-канал 200В 11А [D2-Pak]
Бренд: Vishay
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.5 Ом/6.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 4.1
Корпус: D2PAK(2 Leads+1 Tab)
быстрый просмотр
230 руб. ×
от 15 шт. — 203 руб.
Транзистор IRF740, тип N,корпус TO-220 ,IR
5 шт.
Бренд: No trademark
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.55
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 5.8
Корпус: to-220
быстрый просмотр
5 шт.
340 руб. ×
IRF9640SPBF, транзистор P канал 200В -11А D2Pak
Бренд: Vishay
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Корпус: D2Pak-2
быстрый просмотр
130 руб. ×
от 50 шт. — 87 руб.
от 200 шт. — 80 руб.
от 350 шт. — 78.37 руб.
2SK1643
По запросу
Бренд: Toshiba
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2500
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 2000
Корпус: to220
По запросу
360 руб. ×
Страница
  • 1
  • 2
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60