Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

3 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
STD60NF06T4-VB, Транзистор N-MOSFET 60В 50А 136Вт [TO-252]
392 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.012 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 8.3
Крутизна характеристики, S: 60
Корпус: TO-252/DPAK
быстрый просмотр
392 шт.
130 руб. ×
от 100 шт. — 117 руб.
Транзистор 80NF70, тип N, 190 Вт, корпус TO-220
28 шт.
Бренд: No trademark
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 68
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 98
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0098
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 190
Крутизна характеристики, S: 60
Корпус: to-220
быстрый просмотр
28 шт.
460 руб. ×
IRFHM4234TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 25В 20А 4.4мОм, [PQFN-3.3x3.3]
Бренд: IR
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0044 Ом/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 28
Крутизна характеристики, S: 60
Корпус: PQFN-8(3.3X3.3)
быстрый просмотр
52 руб. ×
от 5 шт. — 46 руб.