Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

_{14 из более 1000}

Спецпредложения 2N MOSFET 2P MOSFET Infineon N MOSFET N+P MOSFET P MOSFET ST Microelectronics

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

AO4405, Транзистор P-MOSFET 30В 6А 3.1Вт [SOP-8] 1957 шт. Бренд: UMW Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.033 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1 Крутизна характеристики, S: 14 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	1957 шт.	11 руб. × от 50 шт. — 10 руб.
AO4459, Транзистор P-MOSFET 30В 6.5А [SOP-8] 1396 шт. Бренд: UMW Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.033 Ом/6.5А/10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1 Крутизна характеристики, S: 14 Корпус: SOP-8	быстрый просмотр	1396 шт.	15 руб. × от 100 шт. — 14 руб.
AO6601, Транзистор N/P-MOSFET 30В 3.4А/2.3А 1.15Вт [SOT-23-6] 3622 шт. Бренд: UMW Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.4/2.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.046 Ом/3.4A, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.15 Крутизна характеристики, S: 14 Корпус: SOT-23-6	быстрый просмотр	3622 шт.	17 руб. × от 100 шт. — 15 руб.
IRF7313TR, Транзистор 2N-MOSFET 30В 6.5А 2Вт [SOP-8] 5312 шт. Бренд: UMW Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/5.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 14 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	5312 шт.	27 руб. × от 50 шт. — 24 руб.
FQD19N10LTM, Транзистор N-CH 100V 15.6A, [D-PAK] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/7.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 14 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		98 руб. × от 15 шт. — 73 руб.
IRF1310NPBF, Транзистор, N-канал 100В 42А [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 42 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.036 Ом/22А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 160 Крутизна характеристики, S: 14 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		220 руб. × от 15 шт. — 179 руб.
IRF7313TRPBF, Транзисто, HEXFET, 2N-канала, 30В, 6.5А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/5.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 14 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		140 руб. × от 25 шт. — 122 руб.
IRFB4019PBF, Транзистор, Digital Audio MOSFET, N-канал, 150В, 17А [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 150 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.095 Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 80 Крутизна характеристики, S: 14 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		190 руб. × от 15 шт. — 151 руб.
IRFI1310NPBF, Транзистор Nкан 100В 22А [TO-220FP] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 24 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.036 Ом/13А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 56 Крутизна характеристики, S: 14 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр		180 руб. × от 15 шт. — 170 руб.
IRL540NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 100В, 36А [D2-PAK] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 36 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.044 Ом/18А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140 Крутизна характеристики, S: 14 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		200 руб. × от 15 шт. — 167 руб.
SPW16N50C3FKSA1, Транзистор, N-канал 560В 16А [TO-247] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 560 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.28 Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 160 Крутизна характеристики, S: 14 Корпус: PG-TO247	быстрый просмотр		580 руб. × от 15 шт. — 518 руб.
Транзистор CEP540N, тип N, 140 Вт, корпус TO-220AB ,CET 22 шт. Бренд: No trademark Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 36 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.053 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140 Крутизна характеристики, S: 14 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр	22 шт.	220 руб. ×
Транзистор IRF1310N, тип N, 100 Вт, корпус TO-220 ,IR 2 шт. Бренд: No trademark Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 42 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.036 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 100 Крутизна характеристики, S: 14 Корпус: to-220	быстрый просмотр	2 шт.	550 руб. ×
IRL540NSPBF, Nкан 100В 36А, [D2-PAK] Бренд: IR Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 36 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.044 Ом/18А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140 Крутизна характеристики, S: 14 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		120 руб. × от 15 шт. — 110 руб.