Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

5 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
Бренд / Производитель
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
FDA59N30, Транзистор, MOSFET N-CH 300В 59А [TO-3PN]
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 300
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 59
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.056 Ом/29.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 500
Крутизна характеристики, S: 52
Корпус: TO-3PN
быстрый просмотр
550 руб. ×
от 15 шт. — 476 руб.
от 150 шт. — 465 руб.
IRF8736TRPBF, Транзистор, N-канал, 30В, 18А, 2.5Вт,0.0048Ом [SO-8]
Пр-во: Infineon
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0048 Ом/18А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 52
Корпус: soic-8
быстрый просмотр
88 руб. ×
от 25 шт. — 79 руб.
от 250 шт. — 68.10 руб.
IRFHM830TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 21А [PQFN-3.3x3.3]
Пр-во: Infineon
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 21
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0038 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.7
Крутизна характеристики, S: 52
Корпус: PQFN-8(3.3X3.3)
быстрый просмотр
84 руб. ×
от 50 шт. — 79 руб.
от 500 шт. — 73 руб.
IRLR3110ZTRPBF, Транзистор HEXFET, N-канал, 100В, 63А [D-PAK]
Пр-во: Infineon
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 63
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.014 Ом/38А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140
Крутизна характеристики, S: 52
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
310 руб. ×
от 15 шт. — 285 руб.
от 150 шт. — 275 руб.
IRF8736PBF, Транзистор, N-канал, 30В, 18А, 2.5Вт,0.0048Ом [SO-8]
Пр-во: IR
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0048 Ом/18А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 52
Корпус: soic-8
быстрый просмотр
44 руб. ×
от 25 шт. — 39 руб.
от 250 шт. — 37.50 руб.