Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.4

_{196 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

STP20NM50, Транзистор, MDmesh, N-канал, 500 В, 20А [TO-220AB] 92 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.25 Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 192 Крутизна характеристики, S: 10 Корпус: to-220	быстрый просмотр	92 шт.	630 руб. × от 5 шт. — 592 руб.
STP21N90K5, Транзистор, SuperMESH 5, N-канал, 900 В, 0.25 Ом, 18.5А [TO-220AB] 150 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.299 Ом/9А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 250 Корпус: to-220	быстрый просмотр	150 шт.	1 010 руб. × от 15 шт. — 990 руб.
STP24NF10, Транзистор N-MOSFET 100В 26А [TO-220AB] 194 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 26 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/12А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 85 Корпус: to-220	быстрый просмотр	194 шт.	220 руб. × от 30 шт. — 205 руб.
STP26NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.135 Ом, 20А [TO-220AB] 128 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.165 Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140 Корпус: to-220	быстрый просмотр	128 шт.	480 руб. × от 15 шт. — 437 руб.
STP30NF10, Транзистор MOSFET N-канал 100В 35А [TO-220] 524 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 35 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.045 Ом/15А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 115 Корпус: to-220	быстрый просмотр	524 шт.	130 руб. × от 15 шт. — 83 руб.
STP3NK80Z, Транзистор MOSFET N-канал 800В 2.5А [TO-220] 311 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.5 Ом/1.25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70 Крутизна характеристики, S: 2.1 Корпус: to-220	быстрый просмотр	311 шт.	200 руб. × от 15 шт. — 180 руб.
STP4N150, Транзистор, PowerMESH, N-канал, 1500 В, 5 Ом, 4А [TO-220AB] 121 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 7 Ом/2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 160 Корпус: to-220	быстрый просмотр	121 шт.	720 руб. × от 15 шт. — 658 руб.
STP4NK80Z, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал, 800В, 3А 3 Ом [TO-220AB] 380 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.5 Ом/1.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 80 Крутизна характеристики, S: 2.9 Корпус: to-220	быстрый просмотр	380 шт.	220 руб. × от 15 шт. — 205 руб.
STP55NF06, Транзистор, STripFET II, N-канал, 60В 50А [TO-220AB] 463 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/27.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Корпус: to-220	быстрый просмотр	463 шт.	140 руб. × от 15 шт. — 102 руб.
STP5NK80Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 800В, 1.9 Ом, 4.3А [TO-220] 159 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.4 Ом/2.15А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Корпус: to-220	быстрый просмотр	159 шт.	260 руб. × от 15 шт. — 255 руб.
STP60NF06, Транзистор MOSFET N-CH 60В 60А [TO-220] 272 шт. Бренд: Inchange Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.016 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Корпус: to-220	быстрый просмотр	272 шт.	130 руб. × от 15 шт. — 111 руб.
STP60NF06, Транзистор, STripFET II, N-канал, 60В, 0.014Ом, 60А [TO-220AB] 1743 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.016 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Корпус: to-220	быстрый просмотр	1743 шт.	130 руб. × от 15 шт. — 119 руб.
STP62NS04Z, Транзистор MOSFET N-канал 33В 62А [TO-220] 112 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.015 Ом/30a, 10В Корпус: to-220	быстрый просмотр	112 шт.	130 руб. × от 15 шт. — 89 руб.
STP65NF06, Транзистор, STripFET II, N-канал, 60В, 0.0015Ом, 60А [TO-220AB] 611 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.014 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 50 Корпус: to-220	быстрый просмотр	611 шт.	280 руб. × от 15 шт. — 234 руб.
STP6N62K3, Транзистор, SuperMESH3, N-канал, 620 В, 0.95 Ом, 5.5А [TO-220AB] 38 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 620 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.2 Ом/2.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 90 Корпус: to-220	быстрый просмотр	38 шт.	130 руб. × от 15 шт. — 114 руб.
STP75NF75, Транзистор, STRIPFET II, N-канал, 75В, 0.0095Ом, 80А [TO-220AB] 410 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 75 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.011 Ом/40А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Крутизна характеристики, S: 20 Корпус: to-220	быстрый просмотр	410 шт.	280 руб. × от 15 шт. — 244 руб.
STP80NF03L-04, Транзистор MOSFET N-канал 30В 80А [TO-220] 84 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.045 Ом/40А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300 Корпус: to-220	быстрый просмотр	84 шт.	230 руб. × от 15 шт. — 216 руб.
STP80NF12, Транзистор, STRIPFET II, N-канал, 120В, 0.013Ом, 80A [TO-220AB] 295 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 120 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/40А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300 Крутизна характеристики, S: 80 Корпус: to-220	быстрый просмотр	295 шт.	490 руб. × от 15 шт. — 437 руб.
STP80NF55-08, МОП-транзистор, N-канальный, 80 А, 55 В, 8 мОм, 10 В, 3 В, [TO-220] 99 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.008 Ом/40А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300 Крутизна характеристики, S: 40 Корпус: to-220	быстрый просмотр	99 шт.	450 руб. × от 15 шт. — 377 руб.
STP9NK50Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 500 В, 0.72 Ом, 7.2А [TO-220AB] 113 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.85 Ом/3.6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 5.3 Корпус: to-220	быстрый просмотр	113 шт.	140 руб. × от 15 шт. — 139 руб.