Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
Производители
Конфигурация
Тип канала
Кол-во каналов
Тип управляемого затвора
Напряжение питания, В
Логическое напряжение (VIL), В
Логическое напряжение (VIH), В
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А
Пиковый выходной ток спада (Sink), А
Тип входа
Максимальное напряжение смещения, В
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс
Номинальное время затухания (Fall Time), нс
Рабочая температура, °C
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Алматы
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Гомель
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Минск
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
ADP3110AKCPZ-RL, Драйвер МОП-транзистора, высокой стороны и низкой стороны, питание 4.6В-13.2В, 1А, 20нс, [DFN-8]
210 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.6…13.2
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2
Тип входа: Инвертирующий, Неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 35
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 11
Рабочая температура, °C: 0…+150 (TJ)
Корпус: DFN-8 EP (3x3)
быстрый просмотр
210 шт.
71 руб. ×
от 5 шт. — 61 руб.
от 50 шт. — 58 руб.
FAN3224TMX, Высокоскоростной MOSFET драйвер, 2-канальный, Low-Side, пиковый выходной ток 4А [SOIC-8-0.154"]
52 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 38
Логическое напряжение (VIH), В: 2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 5
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 12
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 9
Рабочая температура, °C: -40…+125 (TA)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
52 шт.
180 руб. ×
от 5 шт. — 165 руб.
от 50 шт. — 164 руб.
FAN7380MX, Драйвер MOSFET-IGBT, 2-канала, 600В, 018А [SO-8]
491 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.09
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.18
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 230
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 90
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
491 шт.
94 руб. ×
от 5 шт. — 88 руб.
от 50 шт. — 85.20 руб.
FAN73832MX, Микросхема Half-Bridge Gate-Drive, 15В-20В, 650мА, задержка 180нс [SO-8]
91 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 15…20
Логическое напряжение (VIL), В: 1.2
Логическое напряжение (VIH), В: 2.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 50
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
91 шт.
150 руб. ×
от 5 шт. — 136 руб.
от 50 шт. — 135 руб.
FAN7842MX, Драйвер для управления затвором верхнего и нижнего уровней, [SO-8]
198 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 200
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 60
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
198 шт.
90 руб. ×
от 5 шт. — 86 руб.
от 50 шт. — 84 руб.
HIP4082IBZ, Полумостовой драйвер, 80В, 1.25А пик [SO-16]
18 шт.
Пр-во: Intersil
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 4
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 8.5…15
Логическое напряжение (VIL), В: 1
Логическое напряжение (VIH), В: 2.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 95
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 9
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 9
Рабочая температура, °C: -55…+150 (TJ)
Корпус: SOIC-16 (0.154 inch)
быстрый просмотр
18 шт.
1 170 руб. ×
от 15 шт. — 1 160 руб.
от 150 шт. — 1 157 руб.
HIP4082IPZ, Полумостовой драйвер, [DIP-16]
14 шт.
Пр-во: Intersil
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 4
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 8.5…15
Логическое напряжение (VIL), В: 1
Логическое напряжение (VIH), В: 2.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 95
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 9
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 9
Рабочая температура, °C: -55…+150 (TJ)
Корпус: dip-16 (0.300 inch)
быстрый просмотр
14 шт.
440 руб. ×
от 5 шт. — 423 руб.
от 50 шт. — 422 руб.
IR1167BSTRPBF, Интеллектуальный драйвер управления синхронным выпрямителем, [SOIC-8]
120 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 12…18
Логическое напряжение (VIL), В: 2
Логическое напряжение (VIH), В: 2.15
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 7
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 18
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 10
Рабочая температура, °C: -25…+125 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
120 шт.
150 руб. ×
от 5 шт. — 138 руб.
от 50 шт. — 137 руб.
IR2010PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, неинвертируюший вход, 2-OUT, High и Low-Side, полумост [DIP-14]
966 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 6
Логическое напряжение (VIH), В: 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 200
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 10
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: dip-14 (0.300 inch)
быстрый просмотр
966 шт.
310 руб. ×
от 5 шт. — 289 руб.
от 50 шт. — 288 руб.
IR2010SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SO-16W]
147 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 6
Логическое напряжение (VIH), В: 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 200
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 10
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-16 (0.295 inch)
быстрый просмотр
147 шт.
320 руб. ×
от 5 шт. — 285 руб.
от 50 шт. — 284 руб.
IR2011SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SO-8N]
185 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: High-Side/Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.7
Логическое напряжение (VIH), В: 2.2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 200
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 35
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
185 шт.
230 руб. ×
от 5 шт. — 208 руб.
от 50 шт. — 207 руб.
IR2101PBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [DIP-8]
2058 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: DIP-8 (0.300 inch)
быстрый просмотр
2058 шт.
93 руб. ×
от 5 шт. — 88 руб.
от 50 шт. — 86.40 руб.
IR2101SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SO-8]
665 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
665 шт.
88 руб. ×
от 5 шт. — 83 руб.
от 50 шт. — 81.60 руб.
IR2101STRPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней [SOIC-8]
1174 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
1174 шт.
110 руб. ×
от 5 шт. — 98 руб.
от 50 шт. — 96 руб.
IR2102PBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [DIP-8]
281 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: DIP-8 (0.300 inch)
быстрый просмотр
281 шт.
140 руб. ×
от 5 шт. — 122 руб.
от 50 шт. — 120 руб.
IR2102SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней [SOIC-8]
425 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
425 шт.
120 руб. ×
от 5 шт. — 112 руб.
от 50 шт. — 111 руб.
IR2103PBF, Полумостовой драйвер, [DIP-8]
332 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: Инвертирующий, Неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: DIP-8 (0.300 inch)
быстрый просмотр
332 шт.
97 руб. ×
от 5 шт. — 93 руб.
от 50 шт. — 92 руб.
IR2103STRPBF, Драйвер FET-IGBT, [SO-8]
129 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: Инвертирующий, Неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
129 шт.
140 руб. ×
от 5 шт. — 117 руб.
от 50 шт. — 116 руб.
IR2104PBF, Полумостовой драйвер, [DIP-8]
858 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: DIP-8 (0.300 inch)
быстрый просмотр
858 шт.
94 руб. ×
от 5 шт. — 89 руб.
от 50 шт. — 87.60 руб.
IR2104SPBF, Полумостовой драйвер, [SO-8]
672 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
672 шт.
120 руб. ×
от 5 шт. — 108 руб.
от 50 шт. — 107 руб.
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60