Драйверы MOSFET и IGBT, стр.4

более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Конфигурация
сбросить
Тип канала
сбросить
Кол-во каналов
сбросить
Тип управляемого затвора
сбросить
Напряжение питания, В
сбросить
Логическое напряжение (VIL), В
сбросить
Логическое напряжение (VIH), В
сбросить
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А
сбросить
Пиковый выходной ток спада (Sink), А
сбросить
Тип входа
сбросить
Максимальное напряжение смещения, В
сбросить
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс
сбросить
Номинальное время затухания (Fall Time), нс
сбросить
Рабочая температура, °C
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
IR2213PBF, Драйвер IGBT/N-MOSFET, Half-Bridge, 2А/2.5А [DIP-14]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 12…20
Логическое напряжение (VIL), В: 6
Логическое напряжение (VIH), В: 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.5
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 1200
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17
Рабочая температура, °C: -55…+150(TJ)
Корпус: DIP-14(0.300 inch)
быстрый просмотр
1 320 руб. ×
от 5 шт. — 1 270 руб.
IR2213STRPBF, Драйвер IGBT/N-MOSFET, Half-Bridge, 2А/2.5А [SOIC-16W]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 12…20
Логическое напряжение (VIL), В: 6
Логическое напряжение (VIH), В: 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.5
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 1200
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17
Рабочая температура, °C: -25…+125(TJ)
Корпус: SOIC-16(0.295 inch)
быстрый просмотр
1 180 руб. ×
от 5 шт. — 1 140 руб.
IR2233JPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, инвертируюший вход, 6-OUT, High и Low-Side, 3-фазный мост [PLCC-44, 32 pins]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: 3-фазный
Кол-во каналов: 6
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 38
Логическое напряжение (VIH), В: 2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 1200
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 90
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40
Рабочая температура, °C: -25…+125(TJ)
Корпус: PLCC-44, 32 Pins(16.58x16.58)
быстрый просмотр
1 800 руб. ×
от 5 шт. — 1 760 руб.
IR25600STRPBF, Драйвер ключей сдвоенного нижнего уровня [SO-8N]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.7
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 15
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 10
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
330 руб. ×
от 5 шт. — 306 руб.
IR25603STRPBF, Тактируемый полумостовой драйвер, [SO-8]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…15.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.18
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.26
Тип входа: RC входная схема
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 45
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
290 руб. ×
от 5 шт. — 245 руб.
IR25607SPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, неинвертируюший вход, 2-OUT, High и Low-Side [SOIC-16W]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 6
Логическое напряжение (VIH), В: 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.5
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-16(0.295 inch)
быстрый просмотр
450 руб. ×
от 5 шт. — 386 руб.
IR4426PBF, Драйвер ключей сдвоенного нижнего уровня, [DIP-8]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.7
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 15
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 10
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
быстрый просмотр
470 руб. ×
от 5 шт. — 432 руб.
IR4426STRPBF, Драйвер ключей сдвоенного нижнего уровня, [SO-8]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.7
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 15
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 10
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
260 руб. ×
от 10 шт. — 239 руб.
IR4427PBF, Драйвер ключей сдвоенного нижнего уровня, [DIP-8]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.7
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 15
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 10
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
быстрый просмотр
280 руб. ×
от 15 шт. — 249 руб.
IR4427STRPBF, Драйвер ключей сдвоенного нижнего уровня [SOIC-8] (=IR4427SPBF)
Бренд: Infineon
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.7
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 15
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 10
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
150 руб. ×
от 15 шт. — 135 руб.
IRS10752LTRPBF, Драйвер верхнего плеча 100В 160/240мА [SOT-23-6L]
Бренд: Infineon
Конфигурация: High-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.16
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.24
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 100
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 5
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40
Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ)
Корпус: SOT-23-6
быстрый просмотр
240 руб. ×
от 5 шт. — 204 руб.
IRS2011STRPBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, [SO-8]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.7
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 200
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 5
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
660 руб. ×
от 5 шт. — 646 руб.
IRS20752LTRPBF, Драйвер верхнего плеча 200В 160/240мА [SOT-23-6L]
Бренд: Infineon
Конфигурация: High-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.16
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.24
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 200
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 85
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40
Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ)
Корпус: SOT-23-6
быстрый просмотр
330 руб. ×
от 5 шт. — 258 руб.
быстрый просмотр
180 руб. ×
от 5 шт. — 158 руб.
IRS2110PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, H/L-Side, 500В, 2.5А [DIP-14]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 6
Логическое напряжение (VIH), В: 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.5
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 500
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: DIP-14(0.300 inch)
быстрый просмотр
480 руб. ×
от 5 шт. — 411 руб.
IRS2113SPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, High и Low-Side [SOIC-16W]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 6
Логическое напряжение (VIH), В: 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.5
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-16(0.295 inch)
быстрый просмотр
560 руб. ×
от 5 шт. — 520 руб.
IRS21531DSPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, RC входная цепь, 2-OUT, High и Low-Side, полумост [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…15.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.18
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.26
Тип входа: RC входная схема
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 120
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
330 руб. ×
от 5 шт. — 262 руб.
IRS2153DSTRPBF, Полумостовой драйвер с генератором, [SO-8]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…15.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.18
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.26
Тип входа: RC входная схема
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 120
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
230 руб. ×
от 10 шт. — 212 руб.
IRS2181STRPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, неинвертируюший вход, 2-OUT, High и Low-Side [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.9
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.3
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 40
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
570 руб. ×
от 5 шт. — 459 руб.
IRS21844STRPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, H/L-Side, 600В, 2.3А [SOIC-14]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.9
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.3
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 40
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-14(0.154 inch)
быстрый просмотр
1 160 руб. ×
от 5 шт. — 977 руб.
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60