Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.6…13.2
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2
Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 35
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 11
Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ)
Корпус: DFN-8 EP(3x3)
|
быстрый просмотр |
170 руб.
×
от 5 шт. — 130 руб.
|
||
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 15…20
Логическое напряжение (VIL), В: 1.2
Логическое напряжение (VIH), В: 2.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 50
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
330 руб.
×
от 5 шт. — 272 руб.
|
||
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 15…20
Логическое напряжение (VIL), В: 1.2
Логическое напряжение (VIH), В: 2.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 50
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: SOP-14 (0.209 inch)
|
быстрый просмотр |
440 руб.
×
от 5 шт. — 359 руб.
|
||
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
230 руб.
×
от 5 шт. — 208 руб.
|
||
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
150 руб.
×
от 10 шт. — 131 руб.
|
||
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 150
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
290 руб.
×
от 5 шт. — 255 руб.
|
||
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 150
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
240 руб.
×
от 5 шт. — 234 руб.
|
||
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 8.3
Логическое напряжение (VIH), В: 12.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
320 руб.
×
от 5 шт. — 266 руб.
|
||
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 8.3
Логическое напряжение (VIH), В: 12.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
330 руб.
×
от 5 шт. — 319 руб.
|
||
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…15.6
Тип входа: RC входная схема
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 45
Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
320 руб.
×
от 5 шт. — 266 руб.
|
||
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…15.6
Тип входа: RC входная схема
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 45
Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
350 руб.
×
от 5 шт. — 342 руб.
|
||
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…15.6
Тип входа: RC входная схема
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 45
Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
280 руб.
×
от 5 шт. — 233 руб.
|
||
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…15.6
Тип входа: RC входная схема
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 45
Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
210 руб.
×
от 5 шт. — 182 руб.
|
||
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5
Тип входа: RC входная схема
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 45
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
410 руб.
×
от 5 шт. — 351 руб.
|
||
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…15.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.18
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.26
Тип входа: RC входная схема
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 45
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
290 руб.
×
от 5 шт. — 245 руб.
|
||
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…15.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.18
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.26
Тип входа: RC входная схема
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 120
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
330 руб.
×
от 5 шт. — 262 руб.
|
||
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…15.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.18
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.26
Тип входа: RC входная схема
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 120
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
430 руб.
×
от 5 шт. — 420 руб.
|
||
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…15.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.18
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.26
Тип входа: RC входная схема
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 120
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
230 руб.
×
от 10 шт. — 212 руб.
|
||
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.9
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.3
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 40
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-14(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
1 160 руб.
×
от 5 шт. — 977 руб.
|
||
Бренд: Infineon
Конфигурация: Full-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…15.6
Логическое напряжение (VIL), В: 1.7
Логическое напряжение (VIH), В: 9.3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.18
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.26
Тип входа: RC входная схема
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 120
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -25…+125(TJ)
Корпус: SOIC-14(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
280 руб.
×
от 5 шт. — 245 руб.
|
Страница
- 1
- 2
Товаров на странице
- 20
- 40
- 60