Главная › Электронные компоненты › Микросхемы › Драйверы MOSFET и IGBT

Драйверы MOSFET и IGBT

_{73 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

FAN3224TMX, Высокоскоростной MOSFET драйвер, 2-канальный, Low-Side, пиковый выходной ток 4А [SOIC-8-0.154"] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 4.5…18 Логическое напряжение (VIL), В: 38 Логическое напряжение (VIH), В: 2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 5 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 12 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 9 Рабочая температура, °C: -40…+125(TA) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		370 руб. × от 5 шт. — 329 руб.
FAN7380MX, Драйвер MOSFET-IGBT, 2-канала, 600В, 018А [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.09 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.18 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 230 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 90 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		210 руб. × от 5 шт. — 172 руб.
FAN7842MX, Драйвер для управления затвором верхнего и нижнего уровней, [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.9 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 200 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 60 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		210 руб. × от 5 шт. — 194 руб.
HIP4082IBZ, Полумостовой драйвер, 80В, 1.25А пик [SO-16] 92 шт. Бренд: Intersil Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 4 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 8.5…15 Логическое напряжение (VIL), В: 1 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 95 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 9 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 9 Рабочая температура, °C: -55…+150(TJ) Корпус: soic-16(0.154 inch)	быстрый просмотр	92 шт.	1 090 руб. × от 15 шт. — 1 020 руб.
HIP4082IPZ, Полумостовой драйвер, [DIP-16] 87 шт. Бренд: Intersil Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 4 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 8.5…15 Логическое напряжение (VIL), В: 1 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 95 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 9 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 9 Рабочая температура, °C: -55…+150(TJ) Корпус: DIP-16(0.300 inch)	быстрый просмотр	87 шт.	1 360 руб. × от 15 шт. — 1 280 руб.
IR2010PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, неинвертируюший вход, 2-OUT, High и Low-Side, полумост [DIP-14] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 3 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 200 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 10 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-14(0.300 inch)	быстрый просмотр		640 руб. × от 5 шт. — 576 руб.
IR2010SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SO-16W] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 3 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 200 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 10 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-16(0.295 inch)	быстрый просмотр		650 руб. × от 5 шт. — 568 руб.
IR2011SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SO-8N] Бренд: Infineon Конфигурация: High-Side/Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.7 Логическое напряжение (VIH), В: 2.2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 200 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 35 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		480 руб. × от 5 шт. — 415 руб.
IR2101PBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [DIP-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр		200 руб. × от 5 шт. — 176 руб.
IR2101STRPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней [SOIC-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		87 руб. × от 10 шт. — 82 руб.
IR2102PBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [DIP-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр		290 руб. × от 5 шт. — 244 руб.
IR2102SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней [SOIC-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		250 руб. × от 5 шт. — 224 руб.
IR2103PBF, Полумостовой драйвер, [DIP-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр		210 руб. × от 5 шт. — 182 руб.
IR2103STRPBF, Драйвер FET-IGBT, [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		160 руб. × от 5 шт. — 123 руб.
IR2106STRPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.9 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 150 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		490 руб. × от 5 шт. — 437 руб.
IR21084SPBF, SMPS драйверы верхнего и нижнего ключей (600V, 0.12/0.25A) [SO-14] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.9 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 150 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-14(0.154 inch)	быстрый просмотр		450 руб. × от 5 шт. — 381 руб.
IR2110PBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, 500В, 2А, [DIP-14] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 3.3…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 500 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-14(0.300 inch)	быстрый просмотр		410 руб. × от 5 шт. — 351 руб.
IR2110STRPBF, Полумостовой драйвер HIGH/LOW SIDE [SOIC-16] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 3.3…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 500 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-16(0.295 inch)	быстрый просмотр		220 руб. × от 10 шт. — 198 руб.
IR2112PBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, [DIP-14] Бренд: Infineon Конфигурация: High-Side/Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-14(0.300 inch)	быстрый просмотр		370 руб. × от 5 шт. — 306 руб.
IR2112SPBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, [SOIC-16W] Бренд: Infineon Конфигурация: High-Side/Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-16(0.295 inch)	быстрый просмотр		410 руб. × от 5 шт. — 385 руб.