Главная › Электронные компоненты › Микросхемы › Драйверы MOSFET и IGBT

Драйверы MOSFET и IGBT

_{90 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДороже

Мин. цена	руб.
Макс. цена	руб.

FAN7380MX, Драйвер MOSFET-IGBT, 2-канала, 600В, 018А [SO-8] Пр-во: ON Semiconductor Конфигурация: half-bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.09 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.18 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 230 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 90 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: soic-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	210 руб. × от 5 шт. — 172 руб. от 50 шт. — 164 руб.
FAN73832MX, Микросхема Half-Bridge Gate-Drive, 15В-20В, 650мА, задержка 180нс [SO-8] Пр-во: ON Semiconductor Конфигурация: half-bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 15…20 Логическое напряжение (VIL), В: 1.2 Логическое напряжение (VIH), В: 2.9 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 50 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: soic-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	320 руб. × от 5 шт. — 266 руб. от 50 шт. — 260 руб.
FAN7842MX, Драйвер для управления затвором верхнего и нижнего уровней, [SO-8] Пр-во: ON Semiconductor Конфигурация: half-bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.9 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 200 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 60 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: soic-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	190 руб. × от 5 шт. — 180 руб. от 50 шт. — 179 руб.
IR2010PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, неинвертируюший вход, 2-OUT, High и Low-Side, полумост [DIP-14] Пр-во: Infineon Конфигурация: half-bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 3 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 200 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 10 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-14(0.300 inch)	быстрый просмотр	620 руб. × от 5 шт. — 564 руб. от 50 шт. — 559 руб.
IR2010SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SO-16W] Пр-во: Infineon Конфигурация: half-bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 3 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 200 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 10 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: soic-16(0.295 inch)	быстрый просмотр	630 руб. × от 5 шт. — 556 руб. от 50 шт. — 549 руб.
IR2101PBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [DIP-8] Пр-во: Infineon Конфигурация: half-bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: dip-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	190 руб. × от 5 шт. — 172 руб. от 50 шт. — 167 руб.
IR2101STRPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней [SOIC-8] Пр-во: Infineon Конфигурация: half-bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: soic-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	85 руб. × от 10 шт. — 80 руб. от 100 шт. — 75 руб.
IR2102PBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [DIP-8] Пр-во: Infineon Конфигурация: half-bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: dip-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	280 руб. × от 5 шт. — 239 руб. от 50 шт. — 232 руб.
IR2102SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней [SOIC-8] Пр-во: Infineon Конфигурация: half-bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: soic-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	240 руб. × от 5 шт. — 219 руб. от 50 шт. — 213 руб.
IR2103PBF, Полумостовой драйвер, [DIP-8] Пр-во: Infineon Конфигурация: half-bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: Инвертирующий, Неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: dip-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	210 руб. × от 5 шт. — 182 руб. от 50 шт. — 178 руб.
IR2103STRPBF, Драйвер FET-IGBT, [SO-8] Пр-во: Infineon Конфигурация: half-bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: Инвертирующий, Неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: soic-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	280 руб. 150 руб. × от 5 шт. — 120 руб. от 50 шт. — 110 руб.
IR2104PBF, Полумостовой драйвер, [DIP-8] Пр-во: Infineon Конфигурация: half-bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: dip-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	230 руб. × от 5 шт. — 208 руб. от 50 шт. — 188 руб.
IR2104STRPBF, Полумостовой драйвер HIGH/LOW SIDE [SOIC-8] Пр-во: Infineon Конфигурация: half-bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: soic-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	140 руб. × от 10 шт. — 128 руб. от 100 шт. — 120 руб.
IR2106SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SO-8] Пр-во: Infineon Конфигурация: half-bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.9 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 150 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: soic-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	480 руб. × от 5 шт. — 428 руб. от 50 шт. — 423 руб.
IR21084SPBF, SMPS драйверы верхнего и нижнего ключей (600V, 0.12/0.25A) [SO-14] Пр-во: Infineon Конфигурация: half-bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.9 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 150 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: soic-14(0.154 inch)	быстрый просмотр	440 руб. × от 5 шт. — 373 руб. от 50 шт. — 367 руб.
IR2109PBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней [DIP-8] Пр-во: Infineon Конфигурация: half-bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.9 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 150 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: dip-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	280 руб. × от 5 шт. — 250 руб. от 50 шт. — 244 руб.
IR2109SPBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, [SO-8] Пр-во: Infineon Конфигурация: half-bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.9 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 150 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: soic-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	230 руб. × от 5 шт. — 229 руб. от 50 шт. — 220 руб.
IR2110PBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, 500В, 2А, [DIP-14] Пр-во: Infineon Конфигурация: half-bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 3.3…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 500 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-14(0.300 inch)	быстрый просмотр	400 руб. × от 5 шт. — 344 руб. от 50 шт. — 336 руб.
IR2110STRPBF, Полумостовой драйвер HIGH/LOW SIDE [SOIC-16] Пр-во: Infineon Конфигурация: half-bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 3.3…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 500 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: soic-16(0.295 inch)	быстрый просмотр	210 руб. × от 10 шт. — 194 руб. от 100 шт. — 182 руб.
IR2111PBF, Полумостовой драйвер, [DIP-8] Пр-во: Infineon Конфигурация: half-bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 8.3 Логическое напряжение (VIH), В: 12.6 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: dip-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	320 руб. × от 5 шт. — 266 руб. от 50 шт. — 260 руб.