Сортировка: Рекомендуем Хиты продаж Дешевле Дороже
Производители
Конфигурация
Тип канала
Кол-во каналов
Тип управляемого затвора
Напряжение питания, В
Логическое напряжение (VIL), В
Логическое напряжение (VIH), В
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А
Пиковый выходной ток спада (Sink), А
Тип входа
Максимальное напряжение смещения, В
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс
Номинальное время затухания (Fall Time), нс
Рабочая температура, °C
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Белгород
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Гомель
Екатеринбург
Ижевск
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Краснодар
Красноярск
Курск
Липецк
Минск
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Уфа
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
ADP3110AKCPZ-RL, Драйвер МОП-транзистора, высокой стороны и низкой стороны, питание 4.6В-13.2В, 1А, 20нс, [DFN-8]
192 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.6…13.2
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2
Тип входа: Инвертирующий, Неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 35
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 11
Рабочая температура, °C: 0…+150 (TJ)
Корпус: DFN-8 EP (3x3)
быстрый просмотр
192 шт.
34 руб. ×
от 15 шт. — 26 руб.
от 150 шт. — 24 руб.
FAN3100TSX, Драйвер Low-Side Single 2 A High-Speed [SOT-23-5]
3055 шт.
Пр-во: Fairchild
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3
Тип входа: Инвертирующий, Неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 13
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 9
Рабочая температура, °C: -55…+150 (TJ)
Корпус: sot-23-5
быстрый просмотр
3055 шт.
97 руб. ×
от 5 шт. — 89 руб.
от 50 шт. — 87 руб.
FAN7380MX, Драйвер MOSFET-IGBT, 2-канала, 600В, 018А [SO-8]
744 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.09
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.18
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 230
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 90
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
744 шт.
78 руб. ×
от 5 шт. — 73 руб.
от 50 шт. — 71 руб.
FAN7842MX, Драйвер для управления затвором верхнего и нижнего уровней, [SO-8]
275 шт.
Пр-во: Fairchild
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 200
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 60
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
275 шт.
54 руб. ×
от 5 шт. — 49 руб.
от 50 шт. — 46 руб.
IR2101PBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [DIP-8]
2677 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: DIP-8 (0.300 inch)
быстрый просмотр
2677 шт.
65 руб. ×
от 5 шт. — 63 руб.
от 50 шт. — 61 руб.
IR2101SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SO-8]
1502 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
1502 шт.
66 руб. ×
от 5 шт. — 61 руб.
от 50 шт. — 59 руб.
IR2101STRPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней [SOIC-8]
1393 шт.
Пр-во: IR
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
1393 шт.
59 руб. ×
от 5 шт. — 53 руб.
от 50 шт. — 51 руб.
IR2102PBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [DIP-8]
181 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: DIP-8 (0.300 inch)
быстрый просмотр
181 шт.
73 руб. ×
от 5 шт. — 67 руб.
от 50 шт. — 65 руб.
IR2102SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней [SOIC-8]
240 шт.
Пр-во: IR
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
240 шт.
88 руб. ×
от 25 шт. — 83 руб.
от 250 шт. — 80 руб.
IR2103PBF, Полумостовой драйвер, [DIP-8]
395 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: Инвертирующий, Неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: DIP-8 (0.300 inch)
быстрый просмотр
395 шт.
69 руб. ×
от 5 шт. — 64 руб.
от 50 шт. — 62 руб.
IR2103STRPBF, Драйвер FET-IGBT, [SO-8]
287 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: Инвертирующий, Неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
287 шт.
63 руб. ×
от 5 шт. — 55 руб.
от 50 шт. — 53 руб.
IR2104PBF, Полумостовой драйвер, [DIP-8]
1635 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: DIP-8 (0.300 inch)
быстрый просмотр
1635 шт.
71 руб. ×
от 5 шт. — 65 руб.
от 50 шт. — 63 руб.
IR2104SPBF, Полумостовой драйвер, [SO-8]
1719 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
1719 шт.
68 руб. ×
от 5 шт. — 63 руб.
от 50 шт. — 61 руб.
IR2104STRPBF, Полумостовой драйвер HIGH/LOW SIDE [SOIC-8]
961 шт.
Пр-во: IR
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
961 шт.
63 руб. ×
от 5 шт. — 58 руб.
от 50 шт. — 55 руб.
IR2106SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SO-8]
285 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 150
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
285 шт.
98 руб. ×
от 5 шт. — 93 руб.
от 50 шт. — 91 руб.
IR21084SPBF, SMPS драйверы верхнего и нижнего ключей (600V, 0.12/0.25A) [SO-14]
185 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 150
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-14 (0.154 inch)
быстрый просмотр
185 шт.
150 руб. ×
от 5 шт. — 146 руб.
от 50 шт. — 145 руб.
IR2109PBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней [DIP-8]
82 шт.
Пр-во: IR
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 150
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: DIP-8 (0.300 inch)
быстрый просмотр
82 шт.
100 руб. ×
от 5 шт. — 98 руб.
от 50 шт. — 96 руб.
IR2109SPBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, [SO-8]
136 шт.
Пр-во: IR
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 150
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
136 шт.
98 руб. ×
от 5 шт. — 93 руб.
от 50 шт. — 91 руб.
IR2121PBF, Драйвер ключа нижнего уровня с ограничением тока, [DIP-8]
430 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 12…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.6
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 43
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 26
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: DIP-8 (0.300 inch)
быстрый просмотр
430 шт.
160 руб. ×
от 5 шт. — 156 руб.
от 50 шт. — 154 руб.
IR2125PBF, Одноканальный драйвер с ограничением тока, [PDIP-8]
165 шт.
Пр-во: IR
Конфигурация: high-side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 12…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.6
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 500
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 43
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 26
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: DIP-8 (0.300 inch)
быстрый просмотр
165 шт.
150 руб. ×
от 5 шт. — 139 руб.
от 50 шт. — 135 руб.
Страницы Ctrl ← предыдущая Ctrl → следующая
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60