Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд: Infineon
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 12…18
Логическое напряжение (VIL), В: 2
Логическое напряжение (VIH), В: 2.15
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 7
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 18
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 10
Рабочая температура, °C: -25…+125(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
350 руб.
×
от 5 шт. — 289 руб.
|
||
Бренд: Infineon
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.7
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 15
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 10
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
330 руб.
×
от 5 шт. — 306 руб.
|
||
Бренд: Infineon
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.7
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 15
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 10
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
470 руб.
×
от 5 шт. — 432 руб.
|
||
Бренд: Infineon
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.7
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 15
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 10
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
260 руб.
×
от 10 шт. — 239 руб.
|
||
Бренд: Infineon
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.7
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 15
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 10
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
280 руб.
×
от 15 шт. — 249 руб.
|
||
Бренд: Infineon
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.7
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 15
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 10
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
150 руб.
×
от 15 шт. — 135 руб.
|