Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
|
Бренд: Microchip
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
 быстрый просмотр |
270 руб.
×
от 10 шт. — 249 руб.
|
||
|
Бренд: Microchip
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 19
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 19
Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
380 руб.
×
от 5 шт. — 350 руб.
|
||
|
Бренд: Microchip
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
170 руб.
×
от 10 шт. — 151 руб.
|
||
|
Бренд: Texas Instruments
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4…14
Логическое напряжение (VIL), В: 1
Логическое напряжение (VIH), В: 4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2
Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 14
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15
Рабочая температура, °C: -40…+125(TA)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
360 руб.
×
от 5 шт. — 328 руб.
|
||
|
Бренд: Texas Instruments
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4…15
Логическое напряжение (VIL), В: 1.1
Логическое напряжение (VIH), В: 2.7
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 9
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 9
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20
Рабочая температура, °C: -40…+105(TA)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
370 руб.
×
от 10 шт. — 337 руб.
|
||
|
Бренд: Texas Instruments
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4…15
Логическое напряжение (VIL), В: 1
Логическое напряжение (VIH), В: 2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 4
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 4
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15
Рабочая температура, °C: -40…+125(TA)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
280 руб.
×
от 5 шт. — 260 руб.
|
||
|
Бренд: Texas Instruments
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4…15
Логическое напряжение (VIL), В: 1
Логическое напряжение (VIH), В: 2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 4
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 4
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15
Рабочая температура, °C: -40…+125(TA)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
240 руб.
×
от 10 шт. — 215 руб.
|
||
|
Бренд: Texas Instruments
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4…15
Логическое напряжение (VIL), В: 1
Логическое напряжение (VIH), В: 2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 4
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 4
Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15
Рабочая температура, °C: -40…+125(TA)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
200 руб.
×
от 15 шт. — 180 руб.
|
||
|
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
270 руб.
×
|
||
|
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6.1…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 36
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
510 руб.
×
от 5 шт. — 479 руб.
|
||
|
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
190 руб.
×
от 5 шт. — 163 руб.
|
||
|
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…15.6
Тип входа: RC входная схема
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 45
Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
470 руб.
×
|
||
|
Бренд: IR
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 150
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
86 руб.
×
от 5 шт. — 81 руб.
|
||
|
По запросу
Бренд: ST Microelectronics
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 14.6…16.6
Логическое напряжение (VIL), В: 1.5
Логическое напряжение (VIH), В: 3.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.4
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 50
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30
Рабочая температура, °C: -45…+125(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
По запросу |
190 руб.
×
от 15 шт. — 168 руб.
|
|
|
Бренд: IR
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 150
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
83 руб.
×
от 25 шт. — 77 руб.
|
