Главная › Электронные компоненты › Микросхемы › Драйверы MOSFET и IGBT

Драйверы MOSFET и IGBT, стр.5

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

IRS21844STRPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, H/L-Side, 600В, 2.3А [SOIC-14] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.9 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.3 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 40 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-14(0.154 inch)	быстрый просмотр		1 160 руб. × от 5 шт. — 977 руб.
IRS21864STRPBF, Драйвер IGBT/MOSFET, 4А [SOIC-14-0.154] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 4 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 4 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 22 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-14(0.154 inch)	быстрый просмотр		610 руб. × от 5 шт. — 535 руб.
IRS21867STRPBF, Драйвер HIGH AND LOW SIDE [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 4 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 4 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 22 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 18 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		870 руб. × от 5 шт. — 808 руб.
IRS2186SPBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, [SOIC-8] Бренд: Infineon Конфигурация: High-Side/Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 4 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 4 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 22 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 18 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		790 руб. × от 50 шт. — 735 руб.
IRS23364DJPBF, Драйвер IGBT/MOSFET мостовой трехфазный [PLCC-44, 32 Leads] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: 3-фазный Кол-во каналов: 6 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 11.5…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 125 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: PLCC-44, 32 Pins(16.58x16.58)	быстрый просмотр		1 000 руб. × от 5 шт. — 969 руб.
IRS2453DSPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, RC входная цепь, 4-OUT, High и Low-Side, мост [SOIC-14] Бренд: Infineon Конфигурация: Full-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 1 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…15.6 Логическое напряжение (VIL), В: 1.7 Логическое напряжение (VIH), В: 9.3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.18 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.26 Тип входа: RC входная схема Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 120 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -25…+125(TJ) Корпус: SOIC-14(0.154 inch)	быстрый просмотр		280 руб. × от 5 шт. — 245 руб.
IRS44273LTRPBF, Одноканальный драйвер ключа нижнего уровня, [SOT-23-5] Бренд: Infineon Конфигурация: Low-Side Тип канала: Один Кол-во каналов: 1 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOT-23-5	быстрый просмотр		80 руб. × от 100 шт. — 72 руб.
IRS4427SPBF, Драйвер IGBT/MOSFET [SOIC-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.3 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3 Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		300 руб. × от 15 шт. — 279 руб.
IRS4428SPBF, Драйвер 25В DUAL LOW SIDE [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.3 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3 Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		260 руб. × от 5 шт. — 206 руб.
IX4427NTR, Высокоскоростной драйвер MOSFET, пиковый выходной ток 1.5А [SOIC-8] Бренд: Ixys Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET Напряжение питания, В: 4.5…30 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.4 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 10 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 8 Рабочая температура, °C: -55…+150 (TJ) Корпус: soic-8 (0.154 inch)	быстрый просмотр		190 руб. × от 5 шт. — 165 руб.
L6384ED013TR, Полумостовой драйвер MOSFET/IGBT [SOIC-8] 388 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	388 шт.	260 руб. × от 15 шт. — 240 руб.
L6386ED, Высоковольтный драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, [SO-14] 153 шт. Бренд: ST Microelectronics Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 17(Max) Логическое напряжение (VIL), В: 1.5 Логическое напряжение (VIH), В: 3.6 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.4 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 50 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-14(0.154 inch)	быстрый просмотр	153 шт.	290 руб. × от 5 шт. — 273 руб.
L6388ED013TR, Драйвер MOSFET/IGBT, High/Low-side [SOIC-8] 371 шт. Бренд: ST Microelectronics Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 17(Max) Логическое напряжение (VIL), В: 1.1 Логическое напряжение (VIH), В: 1.8 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.4 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 70 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	371 шт.	240 руб. × от 5 шт. — 220 руб.
L6390D, Драйвер MOSFET/IGBT, High/Low-side [SOIC-16] 695 шт. Бренд: ST Microelectronics Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 12.5…20 Логическое напряжение (VIL), В: 1.1 Логическое напряжение (VIH), В: 1.9 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.29 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.43 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 75 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 35 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: soic-16(0.154 inch)	быстрый просмотр	695 шт.	440 руб. × от 5 шт. — 420 руб.
MAX4420CPA+, Высокоскоростной одноканальный драйвер, 6А, [DIP-8] Бренд: Maxim Конфигурация: Low-Side Тип канала: Один Кол-во каналов: 1 Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET Напряжение питания, В: 4.5…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.4 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 6 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 6 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25 Рабочая температура, °C: 0…+70(TA) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр		530 руб. × от 10 шт. — 510 руб.
MAX4420EPA+, Драйвер MOSFET, высокоскоростной, 6А, [PDIP-8] Бренд: Maxim Конфигурация: Low-Side Тип канала: Один Кол-во каналов: 1 Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET Напряжение питания, В: 4.5…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.4 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 6 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 6 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25 Рабочая температура, °C: -40…+85(TA) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр		830 руб. × от 5 шт. — 787 руб.
MAX4420ESA+, Драйвер MOSFET, высокоскоростной, 6А, [NSOIC-8] Бренд: Maxim Конфигурация: Low-Side Тип канала: Один Кол-во каналов: 1 Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET Напряжение питания, В: 4.5…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.4 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 6 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 6 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25 Рабочая температура, °C: -40…+85(TA) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		760 руб. × от 5 шт. — 720 руб.
MC33151DG, Высокоскоростной двухканальный драйвер MOSFET, [SOIC-8] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6.5…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.6 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5 Тип входа: инвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 31 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		330 руб. × от 5 шт. — 310 руб.
MC33151PG, Драйвер MOSFET, Low-Side [DIP-8] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6.5…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.6 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5 Тип входа: инвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 31 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр		240 руб. × от 5 шт. — 230 руб.
MC33152DR2G, Драйвер MOSFET, Low-Side [SOIC-8] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6.1…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.6 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 36 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		160 руб. × от 5 шт. — 116 руб.