Источники опорного напряжения, стр.3

3PEAKAnalog Devices₃₀ApexAPTIVCorebaiCTSCTS ElectronicDeca SwitchlabDiodesDiotecFulihaoHANSCHIPHottechHTC KoreaInfineonIntIntersilJSMicroKECKingbrightLumbergMaximMaxlinearMicrochip₂MurataNexperiaNisshinboNo trademarkNTENXPOlimexON Semiconductor₂PJSEMIRenesasRUNICSamtecSemtechSilergySouriau-SunbankST MicroelectronicsSungineTaiwan SemiconductorTexas Instruments₁₄TouchstoneUMWUnisonicUTCVicorVishayYageoКитай₁Кремний

Последовательный₃₅Последовательный, ШунтовойШунтовой₁₄

1.225 В₂1.235 В₁1.24…30 В1.24…6 В2.048 В₂2.49 В₂2.495 V to 36 V2.495…36 В2.495…37 В2.495…40 В±2.5 В, ±3 В2.5 V2.5 В₁₉2.5 В, 5 В, 7.5 В, 10 В2.5±0, 1%В2.5…36 В3 V3 В₂3.3 В₂4.096 В₅5 V5 В₉10 В₅36 V(регулируемое)-2.495…36(max)ВAdjustableрегулируемое-1.24…6В

2 мА₂5 мА₂5 мА(max)8 мА₁10 мА₁₇15 мА₅15(max)мА20 мА₄25 мА₃30 мА₁₅100 мАток через шунт-5 мА(max)через шунт-0.6…100(max)мАчерез шунт-не более 15 мА

±0.04 %₂±0.04 %, ±0.03 %±0.04%, ±0.03%±0.05 %₃±0.08 %₂±0.1 %₇±0.12 %₂±0.2 %₉±0.2 %, ±0.17 %±0.24 %₁±0.24%₁±0.3 %₁±0.33 %₁±0.4 %₄±0.4%₁±0.48 %₁±0.5 %₁±0.6 %₁±0.82 %₁±1 %₆±1%1%±1.5 %₁±2 %₂±2%±2.2 %±2.21 %±3 %₁±4 %₁регулирования напряжения-1%

-55…+125-45…+85 C (TA)-40…+105 C (TA)-40…+125 C (TA)₈-40…+125 C(TA)-40…+85 C (TA)₂₉-40…+85 C(TA)₂-25…+85 C (TA)₂0…+70 C (TA)₈