Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs), стр.2

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

FGH40N60SFDTU, Транзистор, IGBT 600В 40А, [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 115 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр		830 руб. × от 15 шт. — 779 руб.
FGH40N60SMD, Транзистор, IGBT, 600В, 80А, 349Вт [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop/Gen 2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 349 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 12 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 92 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр		810 руб. × от 15 шт. — 751 руб.
FGH40N60UFDTU, Транзистор IGBT Field Stop 600В 80А 290Вт [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 112 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		720 руб. × от 15 шт. — 684 руб.
FGH60N60SFDTU, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 120 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 180 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 378 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 134 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр		990 руб. × от 15 шт. — 920 руб.
FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop/Gen 2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 120 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 180 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 600 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр		1 280 руб. × от 15 шт. — 1 240 руб.
GT40WR21,Q(O, Транзистор IGBT 1800В 40А 375Вт [TO-3P(N)] 69 шт. Бренд: Toshiba Технология/семейство: Gen 6.5 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1800 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 375 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-3P(N)	быстрый просмотр	69 шт.	1 900 руб. ×
GT50J325, Транзистор, IGBT, 600В, 50А [2-21F2C] 31 шт. Бренд: Toshiba Технология/семейство: Gen 4 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 100 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 240 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: 2-21F2C	быстрый просмотр	31 шт.	1 320 руб. ×
GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN] 4493 шт. Бренд: Toshiba Технология/семейство: Gen 6.5 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 100 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.55 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 230 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 250 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 330 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-3P(N)	быстрый просмотр	4493 шт.	240 руб. ×
GT60N321, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C] 95 шт. Бренд: Toshiba Технология/семейство: Gen 4 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1000 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.8 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 170 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 330 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 700 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: 2-21F2C	быстрый просмотр	95 шт.	890 руб. ×
HGTG10N120BND, Транзистор IGBT 1200В 17А [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 35 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 298 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 165 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		600 руб. × от 15 шт. — 555 руб.
HGTG11N120CND, Транзистор IGBT 1200В 43А 298Вт [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 43 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 298 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 180 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		720 руб. × от 15 шт. — 669 руб.
HGTG5N120BND, Транзистор IGBT NPT 1200В 21А 167Вт [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 21 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 167 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 160 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		490 руб. × от 15 шт. — 438 руб.
IGW40T120FKSA1 (G40T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 40А 270Вт [PG-TO-247-3] (замена BUP314) Бренд: Infineon Технология/семейство: TRENCHSTOP and Fieldstop Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 105 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 270 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 48 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 480 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		910 руб. × от 15 шт. — 905 руб.
IGW60T120FKSA1 (G60T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 60А 375Вт [PG-TO-247-3] Бренд: Infineon Технология/семейство: TRENCHSTOP and Fieldstop Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 100 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 375 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 480 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		1 090 руб. × от 3 шт. — 939 руб.
IHW20N135R5XKSA1 (H20PR5), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1350В, 20А [PG-TO247-3] Бренд: Infineon Технология/семейство: TrenchStop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1350 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.85 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 288 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 235 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		560 руб. × от 15 шт. — 538 руб.
IHW30N135R5XKSA1 (H30PR5), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1350В, 30А [PG-TO247-3] Бренд: Infineon Технология/семейство: TrenchStop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1350 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 90 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.95 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 330 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 310 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		950 руб. × от 15 шт. — 890 руб.
IKW15N120H3FKSA1 (K15H1203), Транзистор IGBT, N-канальный, 1200 В, 30 А, 217 Вт, [TO-247] Бренд: Infineon Технология/семейство: Trench and Fieldstop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 217 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 21 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 260 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		810 руб. × от 15 шт. — 751 руб.
IKW20N60TFKSA1 (K20T60), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP and Fieldstop, 600В, 20А [PG-TO247-3] Бренд: Infineon Технология/семейство: TRENCHSTOP and Fieldstop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.05 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 166 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 199 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		630 руб. × от 15 шт. — 573 руб.
IKW25N120H3FKSA1 (K25H1203), Транзистор IGBT TrenchStop 1200В 25А [PG-TO247-3] Бренд: Infineon Технология/семейство: Trench and Fieldstop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 100 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 326 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 27 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 277 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		1 130 руб. × от 15 шт. — 1 080 руб.
IKW25N120T2FKSA1 (K25T1202), Транзистор IGBT TrenchStop 2 1200В 25А [PG-TO247-3] Бренд: Infineon Технология/семейство: TRENCHSTOP 2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 100 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 349 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 27 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 265 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		1 130 руб. × от 15 шт. — 1 070 руб.