Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs), стр.2более 1000

Спецпредложения
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
Производители
Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Алматы
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Гомель
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Минск
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Уфа
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
GT30J322(Q), Транзистор, IGBT, 600В, 30А [2-16F1A]
10 шт.
Пр-во: Toshiba
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 75
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: 2-16f1a
быстрый просмотр
10 шт.
290 руб. ×
от 15 шт. — 276 руб.
от 150 шт. — 274 руб.
GT40WR21,Q(O, Транзистор IGBT 1800В 40А 375Вт [TO-3P(N)]
155 шт.
Пр-во: Toshiba
Технология/семейство: gen 6.5
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1800
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 375
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-3p(n)
быстрый просмотр
155 шт.
880 руб. ×
от 10 шт. — 795 руб.
от 100 шт. — 767 руб.
GT50J325, Транзистор, IGBT, 600В, 50А [2-21F2C]
95 шт.
Пр-во: Toshiba
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 100
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 240
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: 2-21f2c
быстрый просмотр
95 шт.
620 руб. ×
от 15 шт. — 600 руб.
от 150 шт. — 598 руб.
GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]
2643 шт.
Пр-во: Toshiba
Технология/семейство: gen 6.5
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 100
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.55
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 230
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 250
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 330
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-3p(n)
быстрый просмотр
2643 шт.
220 руб. ×
от 15 шт. — 202 руб.
от 150 шт. — 200 руб.
GT60N321, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C]
283 шт.
Пр-во: Toshiba
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1000
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 170
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 330
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 700
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: 2-21f2c
быстрый просмотр
283 шт.
440 руб. ×
от 15 шт. — 413 руб.
от 150 шт. — 410 руб.
HGTG10N120BND, IGBT транзистор, [TO-247]
322 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 35
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 298
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 165
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
322 шт.
290 руб. ×
от 15 шт. — 279 руб.
от 150 шт. — 276 руб.
HGTG11N120CND, Транзистор IGBT 1200В 43А 298Вт [TO-247]
594 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 43
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 298
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 180
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
594 шт.
350 руб. ×
от 15 шт. — 336 руб.
от 150 шт. — 334 руб.
HGTG12N60A4D, Транзистор IGBT 600В 54А 167Вт [TO-247]
819 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: SMPS
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 54
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 96
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 167
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 96
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
819 шт.
260 руб. ×
от 15 шт. — 232 руб.
от 150 шт. — 230 руб.
HGTG20N60A4, IGBT 600В 70А [TO-247]
1324 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: SMPS
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 280
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 73
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
1324 шт.
370 руб. ×
от 15 шт. — 360 руб.
от 150 шт. — 358 руб.
HGTG20N60A4D, Транзистор IGBT 600В 70А 290Вт встроенный диод [TO-247]
928 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: SMPS
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 280
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 73
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
928 шт.
340 руб. ×
от 15 шт. — 323 руб.
от 150 шт. — 321 руб.
HGTG20N60B3 [HG20N60B3], Транзистор IGBT UFS 600В 40А 165Вт [TO-247AC]
188 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: ufs
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 165
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
188 шт.
270 руб. ×
от 15 шт. — 237 руб.
от 150 шт. — 234 руб.
HGTG20N60B3D, Транзистор, IGBT, UFS, 600В, 40А [TO-247]
434 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: ufs
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 165
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
434 шт.
320 руб. ×
от 15 шт. — 299 руб.
от 150 шт. — 297 руб.
HGTG30N60A4, IGBT 600В 75А, [TO-247]
1845 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: SMPS
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 463
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 150
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
1845 шт.
390 руб. ×
от 15 шт. — 372 руб.
от 150 шт. — 370 руб.
HGTG30N60A4D, IGBT+ диод 600В 75А [TO-247]
674 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: SMPS
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 463
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 150
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
674 шт.
580 руб. ×
от 15 шт. — 564 руб.
от 150 шт. — 562 руб.
HGTG5N120BND, Транзистор IGBT NPT 1200В 21А 167Вт [TO-247]
959 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 21
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 167
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 160
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
959 шт.
240 руб. ×
от 15 шт. — 220 руб.
от 150 шт. — 218 руб.
IGW25T120FKSA1 (G25T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 25А 190Вт [PG-TO-247-3]
173 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 75
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 190
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 560
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
Корпус: pg-to-247-3
быстрый просмотр
173 шт.
330 руб. ×
от 15 шт. — 308 руб.
от 150 шт. — 305 руб.
IGW40T120FKSA1 (G40T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 40А 270Вт [PG-TO-247-3] (замена BUP314)
808 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 105
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 270
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 48
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 480
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
Корпус: pg-to-247-3
быстрый просмотр
808 шт.
450 руб. ×
от 15 шт. — 437 руб.
от 150 шт. — 434 руб.
IGW60T120FKSA1 (G60T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 60А 375Вт [PG-TO-247-3]
386 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 100
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 375
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 480
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
Корпус: pg-to-247-3
быстрый просмотр
386 шт.
540 руб. ×
от 3 шт. — 515 руб.
от 30 шт. — 510 руб.
IHW20N135R5XKSA1 (H20PR5), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1350В, 20А [PG-TO247-3]
1956 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1350
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.85
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 288
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 235
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: pg-to-247-3
быстрый просмотр
1956 шт.
280 руб. ×
от 15 шт. — 260 руб.
от 150 шт. — 257 руб.
IHW30N135R5XKSA1 (H30PR5), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1350В, 30А [PG-TO247-3]
287 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1350
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 90
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.95
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 330
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 310
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: pg-to-247-3
быстрый просмотр
287 шт.
470 руб. ×
от 15 шт. — 447 руб.
от 150 шт. — 444 руб.