Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs), стр.4более 1000

Спецпредложения
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
Производители
Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Алматы
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Гомель
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Минск
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Уфа
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
IRGP4063PBF, IGBT 600В 96А 8-30кГЦ [TO-247AC]
165 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 96
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 144
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.14
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 330
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 60
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 145
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247ac
быстрый просмотр
165 шт.
540 руб. ×
от 15 шт. — 526 руб.
от 150 шт. — 525 руб.
IRGP4066D-EPBF, Транзистор IGBT 600В 140А 454Вт [TO-247AD]
565 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 140
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 225
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 454
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 200
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-247AD
быстрый просмотр
565 шт.
940 руб. ×
от 15 шт. — 922 руб.
от 150 шт. — 920 руб.
IRGP4068D-EPBF, IGBT 600В 96А 8-30кГц [TO-247AD]
503 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 96
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 144
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.14
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 330
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 145
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: TO-247AD
быстрый просмотр
503 шт.
650 руб. ×
от 15 шт. — 627 руб.
от 150 шт. — 624 руб.
IRGP4068DPBF, IGBT 600В 48А [TO-247AC]
801 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 96
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 144
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.14
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 330
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 145
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: to-247ac
быстрый просмотр
801 шт.
380 руб. ×
от 15 шт. — 365 руб.
от 150 шт. — 363 руб.
IRGP4640DPBF, Транзистор, IGBT, N-канал, 600В, 65А [TO-247AC]
17 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: gen 6.2
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 65
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 72
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.9
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 41
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247ac
быстрый просмотр
17 шт.
340 руб. ×
от 15 шт. — 328 руб.
от 150 шт. — 324 руб.
IRGP4650DPBF, Транзистор IGBT 600В 76А 268Вт [TO-247AC]
148 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: gen 6.2
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 76
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 105
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.9
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 268
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 46
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 105
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247ac
быстрый просмотр
148 шт.
660 руб. ×
от 15 шт. — 647 руб.
от 150 шт. — 645 руб.
IRGP50B60PD1PBF, Транзистор, IGBT 600В 75А 150кГц [TO-247AC]
351 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.85
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 390
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 30
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 130
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
быстрый просмотр
351 шт.
660 руб. ×
от 15 шт. — 644 руб.
от 150 шт. — 641 руб.
IRGPS46160DPBF, Транзистор, IGBT Gen 6.2, 600В,120А, 8-30кГц [Super247]
109 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: gen 6.2
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 240
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 360
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.05
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 750
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 80
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 190
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: super-247
быстрый просмотр
109 шт.
1 530 руб. ×
от 15 шт. — 1 520 руб.
от 150 шт. — 1 510 руб.
ISL9V3040D3ST, Транзистор IGBT 430В 21A [TO-252AA]
85 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: ignition
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 430
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 21
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 150
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 4800
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: d-pak
быстрый просмотр
85 шт.
240 руб. ×
от 15 шт. — 232 руб.
от 150 шт. — 231 руб.
ISL9V3040S3ST, Транзистор IGBT 400В 21А [D2-PAK/ TO-263AB]
1285 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: ignition
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 430
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 21
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 150
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 4800
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: d2-pak
быстрый просмотр
1285 шт.
150 руб. ×
от 15 шт. — 138 руб.
от 150 шт. — 137 руб.
IXGR48N60C3D1, Транзистор IGBT 600В 56А 125Вт ISOPLUS-247
260 шт.
Пр-во: Littelfuse
Технология/семейство: genx3, pt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 56
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 230
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 125
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 19
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 60
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: ISOPLUS-247
быстрый просмотр
260 шт.
810 руб. ×
от 10 шт. — 728 руб.
от 100 шт. — 703 руб.
быстрый просмотр
1497 шт.
160 руб. ×
от 15 шт. — 143 руб.
от 150 шт. — 142 руб.
RJH60F5DPQ-A0#T0, Транзистор IGBT 600В 80А 260.4Вт [TO-247A]
516 шт.
Пр-во: Renesas
Технология/семейство: trench
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 260.4
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 53
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 105
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247a
быстрый просмотр
516 шт.
330 руб. ×
от 15 шт. — 309 руб.
от 150 шт. — 308 руб.
SGP02N120XKSA1 (GP02N120), Транзистор IGBT 1200В 6.2А 62Вт [TO-220]
106 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 6.2
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 9.6
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 62
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 260
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: pg-to-220-3-1
быстрый просмотр
106 шт.
240 руб. ×
от 15 шт. — 222 руб.
от 150 шт. — 221 руб.
SGP07N120XKSA1 (GP07N120), FastIGBT 1200В 8A, [TO-220]
59 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 16.5
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 27
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 125
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 27
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 440
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: pg-to-220-3-1
быстрый просмотр
59 шт.
230 руб. ×
от 15 шт. — 220 руб.
от 150 шт. — 219 руб.
SGP15N120XKSA1 (GP15N120), Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 198 Вт, (замена для BUP213), [TO-220]
203 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 52
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 198
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 580
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: pg-to-220-3-1
быстрый просмотр
203 шт.
380 руб. ×
от 15 шт. — 359 руб.
от 150 шт. — 358 руб.
SGW25N120FKSA1, Транзистор IGBT, NPT, 1200В, 25А [PG-TO-247-3]
420 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 46
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 84
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 313
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 45
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 730
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: pg-to-247-3
быстрый просмотр
420 шт.
680 руб. ×
от 15 шт. — 653 руб.
от 150 шт. — 651 руб.
SKW25N120FKSA1 (K25N120), FastIGBT+D 1200В 25A, [TO-247]
267 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 46
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 84
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 313
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 45
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 730
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: pg-to-247-3
быстрый просмотр
267 шт.
1 060 руб. ×
от 15 шт. — 1 040 руб.
от 150 шт. — 1 032 руб.
STGB10NB37LZT4, Биполярный транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт, [D2-PAK]
1260 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh, internally clamped
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 440
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 125
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 1300
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 8000
Рабочая температура (Tj), °C: -65…+175
Корпус: d2-pak
быстрый просмотр
1260 шт.
170 руб. ×
от 15 шт. — 167 руб.
от 150 шт. — 161 руб.
STGB10NC60HDT4, Транзистор IGBT N-CH 600V 20A [D2-PAK]
879 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 65
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 14.2
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: d2-pak
быстрый просмотр
879 шт.
88 руб. ×
от 15 шт. — 81 руб.
от 150 шт. — 79.20 руб.