Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs), стр.8более 1000

Спецпредложения
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
Производители
Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Алматы
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Гомель
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Минск
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Уфа
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
IXGH72N60B3 транзистор, IGBT 600V 72A GenX3 B3 Lo
1 шт.
Пр-во: Ixys
Технология/семейство: genx3, pt
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 400
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 540
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 31
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 150
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-247AD
быстрый просмотр
1 шт.
820 руб. ×
от 5 шт. — 540 руб.
RJP30H1DPD
4 шт.
Пр-во: Renesas
4 шт.
200 руб. ×
от 5 шт. — 97 руб.
от 50 шт. — 72.10 руб.
SGB15N60HS (G15N60HS), IGBT N-CH 600V 27A [TO-263]
1 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 27
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.15
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 138
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 13
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 209
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: p-to-263-3-2
быстрый просмотр
1 шт.
100 руб. ×
от 15 шт. — 95 руб.
от 150 шт. — 94 руб.
SGP23N60UFDTU, IGBT 600В 23А, [TO-220]
32 шт.
Пр-во: Fairchild
Технология/семейство: ufd
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 23
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 92
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 60
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
быстрый просмотр
32 шт.
160 руб. ×
от 15 шт. — 143 руб.
от 150 шт. — 142 руб.
SKW30N60HS, Высокоскоростной IGBT в NPT-технологии, 600В, 30А, Eoff=480µJ, [PG-TO-247-3] (=IKW30N60H3FKSA1)
1 шт.
Пр-во: Китай
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 41
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 112
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.15
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 20
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 250
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: pg-to-247-3
быстрый просмотр
1 шт.
360 руб. ×
от 5 шт. — 345 руб.
от 50 шт. — 342 руб.
STGW35HF60WD, IGBT 600В 60А 200Вт, [TO-247]
177 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: hf, planar
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 30
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 175
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
177 шт.
190 руб. ×
от 15 шт. — 180 руб.
от 150 шт. — 179 руб.
STGW45HF60WD, IGBT 100КГц/45А/600В, [TO-247]
25 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: hf, planar
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 30
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 145
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
25 шт.
280 руб. ×
от 10 шт. — 265 руб.
от 100 шт. — 260 руб.
ACPL-W341-000E, Оптопара
1 шт.
Пр-во: Avago
быстрый просмотр
1 шт.
750 руб. ×
AUIRGP50B60PD1
По запросу
Пр-во: Infineon
быстрый просмотр
По запросу
740 руб. ×
BSS138
10 шт.
Пр-во: SIKOR
10 шт.
4 руб. ×
быстрый просмотр
5 шт.
13 860 руб. ×
DSEK60-02A
По запросу
Пр-во: Ixys
быстрый просмотр
По запросу
200 руб. ×
F475R12KS4BOSA1
По запросу
Пр-во: Infineon
быстрый просмотр
По запросу
13 430 руб. ×
от 2 шт. — 12 760 руб.
от 4 шт. — 12 368 руб.
от 10 шт. — 12 080 руб.
FGA20N120FTDTU
По запросу
Пр-во: ON Semiconductor
быстрый просмотр
По запросу
320 руб. ×
от 16 шт. — 267 руб.
от 60 шт. — 254 руб.
FGA25N120ANTDTU_F109
По запросу
Пр-во: ON Semiconductor
быстрый просмотр
По запросу
300 руб. ×
от 18 шт. — 248 руб.
FGA25N120ANTDTU_F109
11 шт.
Пр-во: Fairchild
быстрый просмотр
11 шт.
580 руб. ×
от 2 шт. — 490 руб.
от 5 шт. — 434 руб.
от 10 шт. — 408 руб.
FGB20N60SFD_F085
По запросу
Пр-во: ON Semiconductor
быстрый просмотр
По запросу
150 руб. ×
FGH60N60SFD, IGBT транзистор
242 шт.
Пр-во: Fairchild
быстрый просмотр
242 шт.
710 руб. ×
от 2 шт. — 620 руб.
от 5 шт. — 554 руб.
от 10 шт. — 525 руб.
FGH75T65UPD, FGH75T65UPD
25 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
быстрый просмотр
25 шт.
630 руб. ×
быстрый просмотр
2 шт.
15 940 руб. ×
от 2 шт. — 15 320 руб.