Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs), стр.26

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

APT75GN60LDQ3G, IGBT Transistors IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264 Бренд: Microchip	быстрый просмотр	3 000 руб. ×
APT85GR120J, IGBT Modules IGBT MOS 8 1200 V 85 A SOT-227 Бренд: Microchip	быстрый просмотр	9 900 руб. ×
APTGT50X60T3G, IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SP3F Бренд: Microchip	быстрый просмотр	27 120 руб. ×
AUIRG4PC40S-E, IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES Бренд: Infineon	быстрый просмотр	3 410 руб. ×
AUIRGSL4062D1, Транзистор: IGBT, Trench, 600В, 39А, 123Вт, TO262 Бренд: Infineon	быстрый просмотр	1 380 руб. × от 3 шт. — 1 270 руб. от 10 шт. — 1 040 руб.
F3L400R10W3S7FB11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Three level Inverter, 220 А, 1.4 В, 150 °C, Module Бренд: Infineon	быстрый просмотр	49 110 руб. × от 5 шт. — 38 740 руб.
FF1500R17IP5PBPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 1.5 кА, 1.75 В, 175 °C, Module Бренд: Infineon	быстрый просмотр	309 800 руб. ×
FF1800R12IE5PBPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 1.8 кА, 1.7 В, 175 °C, Module Бренд: Infineon	быстрый просмотр	237 300 руб. ×
FF1800R17IP5BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 1.8 кА, 1.75 В, 175 °C, Module Бренд: Infineon	быстрый просмотр	223 900 руб. ×
FF200R17KE4, Модуль: IGBT, транзистор/транзистор, полумост IGBT, Urmax: 1,7кВ Бренд: Infineon	быстрый просмотр	56 040 руб. × от 3 шт. — 48 350 руб.
FF300R07ME4B11BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 390 А, 1.55 В, 1.1 кВт, 150 °C, Module Бренд: Infineon	быстрый просмотр	25 790 руб. × от 5 шт. — 23 240 руб.
FF300R07ME4BOSA1, IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO Бренд: Infineon	быстрый просмотр	34 830 руб. ×
FF300R07ME4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 300 А, 1.55 В, 150 °C, Module Бренд: Infineon	быстрый просмотр	32 780 руб. × от 5 шт. — 27 270 руб. от 10 шт. — 21 430 руб.
FF300R17KE3HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 404 А, 2 В, 1.45 кВт, 125 °C, Module Бренд: Infineon	быстрый просмотр	58 860 руб. ×
FF400R07A01E3S6XKSA2, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 400 А, 1.65 В, 1.5 кВт, 175 °C, Module Бренд: Infineon	быстрый просмотр	32 330 руб. × от 5 шт. — 30 130 руб. от 10 шт. — 27 980 руб.
FF450R12KE4, IGBT Modules N-CH 1.2KV 520A Бренд: Infineon	быстрый просмотр	53 470 руб. × от 10 шт. — 46 660 руб.
FF450R33T3E3B5BPSA1, Trans IGBT Module N-CH 3300V 450A 10-Pin Tray Бренд: Infineon	быстрый просмотр	274 700 руб. ×
FF600R07ME4BPSA1, IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO Бренд: Infineon	быстрый просмотр	44 840 руб. × от 10 шт. — 37 480 руб.
FF600R07ME4BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 600 А, 1.55 В, 150 °C, Module Бренд: Infineon	быстрый просмотр	40 220 руб. × от 5 шт. — 33 460 руб.
FF600R12KE4EBOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, Common Emitter, 600 А, 1.75 В, 150 °C, Module Бренд: Infineon	быстрый просмотр	72 190 руб. × от 5 шт. — 67 080 руб.