Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs), стр.7

более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Технология/семейство
сбросить
Наличие встроенного диода
сбросить
Максимальное напряжение КЭ ,В
сбросить
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
сбросить
Импульсный ток коллектора (Icm), А
сбросить
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
сбросить
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
сбросить
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
сбросить
Рабочая температура (Tj), °C
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
HGTG12N60A4D, Транзистор IGBT 600В 54А 167Вт [TO-247]
Бренд: ON Semiconductor
Технология/семейство: SMPS Series
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 54
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 96
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 167
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 96
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
300 руб. ×
от 15 шт. — 265 руб.
HGTG20N60A4, Транзистор IGBT 600В 70А [TO-247]
Бренд: ON Semiconductor
Технология/семейство: SMPS Series
Наличие встроенного диода: Нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 280
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 73
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
600 руб. ×
от 15 шт. — 563 руб.
HGTG20N60A4D, Транзистор IGBT 600В 70А 290Вт встроенный диод [TO-247]
Бренд: ON Semiconductor
Технология/семейство: SMPS Series
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 280
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 73
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
600 руб. ×
от 15 шт. — 563 руб.
HGTG20N60B3 [HG20N60B3], Транзистор IGBT UFS 600В 40А 165Вт [TO-247AC]
Бренд: ON Semiconductor
Технология/семейство: UFS Series
Наличие встроенного диода: Нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 165
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
570 руб. ×
от 15 шт. — 473 руб.
HGTG20N60B3D, Транзистор, IGBT, UFS, 600В, 40А [TO-247]
Бренд: ON Semiconductor
Технология/семейство: UFS Series
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 165
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
750 руб. ×
от 15 шт. — 695 руб.
HGTG30N60A4, Транзистор IGBT 600В 75А, [TO-247]
Бренд: ON Semiconductor
Технология/семейство: SMPS Series
Наличие встроенного диода: Нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 463
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 150
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
700 руб. ×
от 15 шт. — 653 руб.
HGTG30N60A4D, Транзистор IGBT 600В 60А [TO-247]
Бренд: ON Semiconductor
Технология/семейство: SMPS Series
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 463
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 150
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
700 руб. ×
от 15 шт. — 653 руб.
HGTG40N60B3, Транзистор, UFS IGBT, N-канал, 70А, 600В, [TO-247]
Бренд: Fairchild
Технология/семейство: UFS Series
Наличие встроенного диода: Нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 330
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 47
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 170
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
1 100 руб. ×
от 15 шт. — 1 080 руб.
IGW25T120FKSA1 (G25T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 25А 190Вт [PG-TO-247-3]
Бренд: Infineon
Технология/семейство: TRENCHSTOP and Fieldstop
Наличие встроенного диода: Нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 75
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 190
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 560
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
Корпус: PG-TO247-3
быстрый просмотр
680 руб. ×
от 15 шт. — 670 руб.
IKQ40N120CT2XKSA1 (K40MCT2), Транзистор, IGBT TRENCHSTOP 2, 1200В, 40А, 2-20кГц, [PG-TO247-3]
Бренд: Infineon
Технология/семейство: TRENCHSTOP 2
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.15
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 500
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 32
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 328
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: PG-TO247-3-46
быстрый просмотр
750 руб. ×
от 15 шт. — 700 руб.
быстрый просмотр
2 шт.
410 руб. ×
от 15 шт. — 363 руб.
IRG4BC20UD-SPBF, IGBT 600В 13А 8-60кГц, [D2-Pak]
Бренд: IR
Технология/семейство: Gen 4
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 13
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 52
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 60
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 39
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 93
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: d2pak
быстрый просмотр
120 руб. ×
от 15 шт. — 105 руб.
IRG4PC30UDPBF, Транзистор IGBT 600В 23А, [TO-247AC]
Бренд: Infineon
Технология/семейство: Gen 4
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 23
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 92
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 40
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 91
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-247AC
быстрый просмотр
1 030 руб. ×
от 15 шт. — 960 руб.
IRGB4062DPBF, Транзистор IGBT 600В 48А [TO-220AB]
Бренд: Infineon
Технология/семейство: Trench
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 48
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 72
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.95
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 41
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
240 руб. ×
от 15 шт. — 225 руб.
IRGB4610DPBF, Транзистор, IGBT, 600В, 10А, [TO-220AB]
Бренд: IR
Технология/семейство: Gen 6.2
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 16
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 18
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 77
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 27
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 75
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
180 руб. ×
от 10 шт. — 162 руб.
IRGB4620DPBF, Транзистор, IGBT с диодом, N-канал, 600В, 32А [TO-220AC]
Бренд: Infineon
Технология/семейство: Gen 6.2
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 32
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 36
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.85
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 140
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 31
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 83
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
310 руб. ×
от 15 шт. — 280 руб.
IRGP4062DPBF, Транзистор IGBT 600В 48А 8-30кГц [TO-247AC]
Бренд: Infineon
Технология/семейство: Trench
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 48
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 72
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.95
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 41
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-247AC
быстрый просмотр
340 руб. ×
от 15 шт. — 315 руб.
IRGP4063PBF, Транзистор IGBT 600В 96А 8-30кГЦ [TO-247AC]
Бренд: Infineon
Технология/семейство: Trench
Наличие встроенного диода: Нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 96
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 144
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.14
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 330
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 60
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 145
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-247AC
быстрый просмотр
390 руб. ×
от 15 шт. — 360 руб.
IRGP4066D-EPBF, Транзистор IGBT 600В 140А 454Вт [TO-247AD]
Бренд: Infineon
Технология/семейство: Trench
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 140
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 225
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 454
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 200
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-247AD
быстрый просмотр
800 руб. ×
от 15 шт. — 750 руб.
IRGP4068D-EPBF, Транзистор IGBT 600В 96А 8-30кГц [TO-247AD]
Бренд: Infineon
Технология/семейство: Trench
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 96
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 144
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.14
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 330
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 145
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: TO-247AD
быстрый просмотр
460 руб. ×
от 15 шт. — 425 руб.
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60