Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › ON Semiconductor

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) ON Semiconductor

_{217 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДороже

Мин. цена	руб.
Макс. цена	руб.

FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO-3PN] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: npt trench Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 90 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.65 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 312 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 190 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-3p	быстрый просмотр	490 руб. × от 50 шт. — 435 руб. от 500 шт. — 414 руб.
FGA40N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 40А [TO-3PN] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: field stop Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 650 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 349 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 12 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 92 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-3PN	быстрый просмотр	770 руб. × от 15 шт. — 714 руб. от 150 шт. — 706 руб.
FGA60N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 60А [TO-3PN] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: field stop Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 650 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 120 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 180 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 600 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-3PN	быстрый просмотр	990 руб. × от 15 шт. — 928 руб. от 150 шт. — 913 руб.
FGA6540WDF, Транзистор, IGBT, Field Stop Trench, 650В, 40А [TO-3PN] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: trench and fieldstop Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 650 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 238 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 16.8 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 54.4 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-3PN	быстрый просмотр	650 руб. × от 15 шт. — 568 руб. от 150 шт. — 553 руб.
FGH15T120SMD_F155, Транзистор, Field Stop Trench, IGBT, 1200В, 15А, 333Вт, (=HGTG5N120BND), [TO-247] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: trench and fieldstop Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 333 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 32 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 490 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: to-247g03	быстрый просмотр	950 руб. × от 15 шт. — 904 руб. от 150 шт. — 889 руб.
FGH40N60SFDTU, Транзистор, IGBT 600В 40А, [TO-247] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: field stop Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 115 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-247	быстрый просмотр	830 руб. × от 15 шт. — 779 руб. от 150 шт. — 768 руб.
FGH40N60SMD, Транзистор, IGBT, 600В, 80А, 349Вт [TO-247] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: field stop Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 349 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 12 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 92 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: to-247	быстрый просмотр	810 руб. × от 15 шт. — 751 руб. от 150 шт. — 741 руб.
FGH40N60UFDTU, Транзистор IGBT Field Stop 600В 80А 290Вт [TO-247] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: field stop Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 112 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-247	быстрый просмотр	720 руб. × от 15 шт. — 684 руб. от 150 шт. — 668 руб.
FGH40T120SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop Trench, 1200В, 40А [TO-247] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: trench and fieldstop Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 555 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 40 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 475 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: to-247	быстрый просмотр	1 700 руб. × от 15 шт. — 1 650 руб. от 150 шт. — 1 616 руб.
FGH60N60SFDTU, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: field stop Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 120 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 180 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 378 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 134 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-247	быстрый просмотр	990 руб. × от 15 шт. — 920 руб. от 150 шт. — 908 руб.
FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: field stop Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 120 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 180 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 600 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: to-247	быстрый просмотр	1 280 руб. × от 15 шт. — 1 240 руб. от 150 шт. — 1 221 руб.
FGH80N60FDTU, Транзистор, Field Stop, IGBT, 600В, 80А, 290Вт (=SGH80N60UFTU), [TO-247] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: field stop Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 21 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 126 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-247	быстрый просмотр	770 руб. × от 15 шт. — 698 руб. от 150 шт. — 686 руб.
FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: npt Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 64 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 500 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 110 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-264	быстрый просмотр	1 390 руб. × от 15 шт. — 1 330 руб. от 150 шт. — 1 303 руб.
FGP15N60UNDF, Транзистор IGBT 600В 30A [TO-220] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: npt Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 178 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 9.3 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 54.8 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр	800 руб. × от 15 шт. — 753 руб. от 150 шт. — 744 руб.
FGY75N60SMD, Транзистор, Field Stop IGBT 600В 75А [Power TO247 / TO-247D03] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: field stop Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 150 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 225 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 750 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 136 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: to-247d03	быстрый просмотр	1 390 руб. × от 15 шт. — 1 330 руб. от 150 шт. — 1 303 руб.
HGTG10N120BND, Транзистор IGBT 1200В 17А [TO-247] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: npt Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 35 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 298 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 165 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-247	быстрый просмотр	600 руб. × от 15 шт. — 555 руб. от 150 шт. — 541 руб.
HGTG11N120CND, Транзистор IGBT 1200В 43А 298Вт [TO-247] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: npt Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 43 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 298 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 180 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-247	быстрый просмотр	720 руб. × от 15 шт. — 669 руб. от 150 шт. — 657 руб.
HGTG12N60A4D, Транзистор IGBT 600В 54А 167Вт [TO-247] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: SMPS Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 54 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 96 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 167 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 96 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-247	быстрый просмотр	540 руб. × от 15 шт. — 462 руб. от 150 шт. — 451 руб.
HGTG20N60A4, Транзистор IGBT 600В 70А [TO-247] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: SMPS Наличие встроенного диода: нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 280 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 73 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-247	быстрый просмотр	760 руб. × от 15 шт. — 714 руб. от 150 шт. — 707 руб.
HGTG20N60A4D, Транзистор IGBT 600В 70А 290Вт встроенный диод [TO-247] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: SMPS Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 280 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 73 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-247	быстрый просмотр	690 руб. × от 15 шт. — 642 руб. от 150 шт. — 632 руб.