Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs), стр.6

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

STGW30H60DFB, Транзистор IGBT 600В 60А 260Вт [TO-247] 104 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: Trench and Fieldstop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 260 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 37 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 146 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	104 шт.	480 руб. × от 15 шт. — 468 руб.
STGW30NC60WD, Транзистор IGBT, 600В, 60А, 200Вт [TO-247] 239 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 200 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 29.5 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 118 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	239 шт.	810 руб. × от 15 шт. — 677 руб.
STGW39NC60VD, Транзистор PowerMESH IGBT N-CH 600V 40A, [TO-247-3] 159 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 220 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 33 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 178 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	159 шт.	450 руб. × от 15 шт. — 402 руб.
STGW40V60DF, Транзистор IGBT 600V 80A 283W, [TO-247] 252 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: Trench and Fieldstop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 283 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 52 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 208 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	252 шт.	790 руб. × от 10 шт. — 747 руб.
STGW60V60DF, Транзистор IGBT, N-канальный, 600 В, 80 А, 375 Вт, [TO-247] 163 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: Trench and Fieldstop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 375 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 60 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 208 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	163 шт.	1 400 руб. × от 15 шт. — 1 380 руб.
YGW25N135F1A, Транзистор IGBT Trench Field Stop 1350В 25А [TO-247] 52 шт. Бренд: luxin-semi Технология/семейство: Trench and Fieldstop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1350 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 75 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 260 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 155 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	52 шт.	280 руб. × от 10 шт. — 252 руб.
AOK60B65H2AL, Транзистор: IGBT; 650В; 60А; 166Вт; TO247; Eвыкл:1,17мДж Бренд: Alpha & Omega	быстрый просмотр		500 руб. × от 5 шт. — 330 руб.
FGA15N120ANTDTU-F109, Транзистор, IGBT, NPT Trench, 1200В, 15А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: NPT Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 186 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 160 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-3P	быстрый просмотр		390 руб. × от 15 шт. — 360 руб.
FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: NPT Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 90 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.65 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 312 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 190 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-3P	быстрый просмотр		520 руб. × от 50 шт. — 457 руб.
FGA6540WDF, Транзистор, IGBT, Field Stop Trench, 650В, 40А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop/Gen 3 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 650 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 238 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 16.8 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 54.4 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр		480 руб. × от 15 шт. — 450 руб.
FGH15T120SMD_F155, Транзистор, Field Stop Trench, IGBT, 1200В, 15А, 333Вт, (=HGTG5N120BND), [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop, Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 333 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 32 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 490 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр		950 руб. × от 15 шт. — 904 руб.
FGH20N60SFDTU, Транзистор Бренд: Fairchild	быстрый просмотр		640 руб. × от 5 шт. — 350 руб.
FGH80N60FDTU, Транзистор, Field Stop, IGBT, 600В, 80А, 290Вт (=SGH80N60UFTU), [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 21 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 126 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр		770 руб. × от 15 шт. — 698 руб.
FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 64 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 500 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 110 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-264	быстрый просмотр		2 700 руб. ×
FGL60N100BNTD, Транзистор, IGBT, N-канальный, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, [TO-264-3] Бренд: Fairchild Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1000 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 180 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 140 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 630 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-264	быстрый просмотр		1 010 руб. × от 15 шт. — 947 руб.
FGP15N60UNDF, Транзистор IGBT 600В 30A [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 178 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 9.3 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 54.8 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр		420 руб. × от 15 шт. — 390 руб.
FGY75N60SMD, Транзистор, Field Stop IGBT 600В 75А [Power TO247 / TO-247D03] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop/Gen 2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 150 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 225 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 750 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 136 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр		500 руб. × от 15 шт. — 465 руб.
GT15J341 транзистор, IGBT N-Ch 600V 15A 1.5Vce 1 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	1 шт.	410 руб. ×
GT30J127 Formed Leads, Транзистор, IGBT, 600В, 30А [TO-220SIS] 5 дней, 1 шт. Бренд: Toshiba Технология/семейство: Gen 6 Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 200 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 25 Корпус: TO-220SIS	быстрый просмотр	5 дней, 1 шт.	280 руб. ×
GT30J322(Q), Транзистор, IGBT, 600В, 30А [2-16F1A] 5 дней, 1 шт. Бренд: Toshiba Технология/семейство: Gen 4 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 75 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: 2-16F1A	быстрый просмотр	5 дней, 1 шт.	600 руб. ×