Мой регион: Россия

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)68 из 456

Спецпредложение
Сортировка: Рекомендуем Хиты продаж Дешевле Дороже
Производители
Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Волгоград
Воронеж
Екатеринбург
Ижевск
Казань
Калуга
Краснодар
Красноярск
Минск
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Пермь
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саратов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Уфа
Челябинск
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO-3PN]
2455 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt trench
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 90
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.65
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 312
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 190
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-3p
Добавить к сравнению
2455 шт.
150 руб. ×
от 15 шт. — 140 руб.
от 150 шт. — 138 руб.
FGH15T120SMD_F155, Транзистор, Field Stop Trench, IGBT, 1200В, 15А, 333Вт, (=HGTG5N120BND), [TO-247]
344 шт.
Пр-во: Fairchild
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 333
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 32
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 490
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247g03
Добавить к сравнению
344 шт.
230 руб. ×
от 10 шт. — 207 руб.
от 100 шт. — 204 руб.
FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264]
1338 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 64
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 500
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 110
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-264
Добавить к сравнению
1338 шт.
440 руб. ×
от 15 шт. — 425 руб.
от 150 шт. — 423 руб.
HGTG10N120BND, IGBT транзистор, [TO-247]
242 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 35
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 298
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 165
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
242 шт.
190 руб. ×
от 15 шт. — 179 руб.
от 150 шт. — 177 руб.
HGTG11N120CND, Транзистор IGBT 1200В 43А 298Вт [TO-247]
127 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 43
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 298
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 180
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
127 шт.
150 руб. ×
от 15 шт. — 140 руб.
от 150 шт. — 138 руб.
HGTG5N120BND, Транзистор IGBT NPT 1200В 21А 167Вт [TO-247]
203 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 21
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 167
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 160
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
203 шт.
120 руб. ×
от 15 шт. — 110 руб.
от 150 шт. — 108 руб.
IGW40T120 (G40T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 40А 270Вт [PG-TO-247-3] (замена BUP314)
385 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 105
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 270
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 48
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 480
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
Корпус: pg-to-247-3
Добавить к сравнению
385 шт.
290 руб. ×
от 15 шт. — 280 руб.
от 150 шт. — 278 руб.
IGW60T120 [G60T120], Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 60А 375Вт [PG-TO-247-3]
241 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 100
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 375
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 480
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
Корпус: pg-to-247-3
Добавить к сравнению
241 шт.
430 руб. ×
от 3 шт. — 407 руб.
от 30 шт. — 404 руб.
IHW20N120R3 (H20R1203), Транзистор 1200V 40A 310W [TO-247-3]
922 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 310
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 387
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: pg-to247-3
Добавить к сравнению
922 шт.
190 руб. ×
от 15 шт. — 180 руб.
от 150 шт. — 178 руб.
IKQ40N120CT2 [K40MCT2], Транзистор, IGBT TRENCHSTOP 2, 1200В, 40А, 2-20кГц, [PG-TO247-3]
60 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trenchstop 2
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.15
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 500
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 32
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 328
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: pg-to247-3-46
Добавить к сравнению
60 шт.
600 руб. ×
от 15 шт. — 589 руб.
от 150 шт. — 587 руб.
IKW15N120H3 [K15H1203], Транзистор IGBT, N-канальный, 1200 В, 30 А, 217 Вт, [TO-247]
133 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 217
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 21
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 260
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: pg-to247-3
Добавить к сравнению
133 шт.
260 руб. ×
от 15 шт. — 243 руб.
от 150 шт. — 241 руб.
IKW40N120T2 (K40T1202), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP 2, 1200В, 40А [PG-TO-247-3]
176 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trenchstop 2
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 480
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 33
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 314
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: pg-to247-3
Добавить к сравнению
176 шт.
500 руб. ×
от 15 шт. — 490 руб.
от 150 шт. — 488 руб.
IKY75N120CH3 [K75MCH3], Транзистор, IGBT HighSpeed 3, N-CH, 1200В, 75А, 18...60 кГц [PG-TO247-4-2]
137 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: high speed h3
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 150
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 300
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.35
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 938
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 38
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 303
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: pg-to247-4-2
Добавить к сравнению
137 шт.
900 руб. ×
от 15 шт. — 881 руб.
от 150 шт. — 879 руб.
IRG4PH30KDPBF, 1200В 20А 3.1В [ТО-247АС]
81 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 4.2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 39
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 220
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
Добавить к сравнению
81 шт.
300 руб. ×
от 15 шт. — 290 руб.
от 150 шт. — 288 руб.
IRG4PH30KPBF, IGBT 1200В 10А 4-20кГц [ТО-247АС]
42 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 4.2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 28
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 200
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
Добавить к сравнению
42 шт.
150 руб. ×
от 10 шт. — 129 руб.
от 100 шт. — 126 руб.
IRG4PH40KDPBF, 1200В 42А 2.6В [ТО-247АС]
89 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 160
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 96
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
Добавить к сравнению
89 шт.
280 руб. ×
от 10 шт. — 260 руб.
от 100 шт. — 255 руб.
IRG4PH40UDPBF, 1200В 41А 40кГц [TO-247AC]
526 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 41
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 82
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.1
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 160
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 46
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
Добавить к сравнению
526 шт.
300 руб. ×
от 15 шт. — 284 руб.
от 150 шт. — 282 руб.
IRG4PH40UPBF, IGBT 1200В 20А 75кГц [ТО-247]
59 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 41
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 82
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.1
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 160
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 220
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
Добавить к сравнению
59 шт.
170 руб. ×
от 15 шт. — 160 руб.
от 150 шт. — 157 руб.
IRG4PH50KDPBF, IGBT 1200В 45А [TO-247AC]
157 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 45
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 90
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 87
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 140
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
Добавить к сравнению
157 шт.
370 руб. ×
от 15 шт. — 355 руб.
от 150 шт. — 353 руб.
IRG4PH50SPBF, IGBT 1200В 57А [TO-247AC]
146 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 57
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 114
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 32
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 845
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
Добавить к сравнению
146 шт.
290 руб. ×
от 15 шт. — 277 руб.
от 150 шт. — 275 руб.
Страницы Ctrl ← предыдущая Ctrl → следующая