Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)20 из более 1000

Спецпредложения
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
Бренд / Производитель
Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Алматы
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Гомель
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Минск
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
FGA40N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 40А [TO-3PN]
119 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 349
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 12
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 92
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-3PN
быстрый просмотр
119 шт.
380 руб. ×
от 15 шт. — 360 руб.
от 150 шт. — 358 руб.
FGA60N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 60А [TO-3PN]
778 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 120
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 180
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 600
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-3PN
быстрый просмотр
778 шт.
500 руб. ×
от 15 шт. — 474 руб.
от 150 шт. — 472 руб.
FGA6540WDF, Транзистор, IGBT, Field Stop Trench, 650В, 40А [TO-3PN]
505 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 238
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 16.8
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 54.4
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-3PN
быстрый просмотр
505 шт.
320 руб. ×
от 15 шт. — 285 руб.
от 150 шт. — 282 руб.
IKW50N65F5FKSA1 (K50EF5), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP 5, 650В, 50А [PG-TO247-3]
64 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trenchstop 5
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 305
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 21
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 175
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: pg-to247-3
быстрый просмотр
64 шт.
320 руб. ×
от 15 шт. — 310 руб.
от 150 шт. — 300 руб.
IKW75N65EH5XKSA1 (K75EEH5), Транзистор IGBT 650В 90А 395Вт [TO-247]
207 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trenchstop 5
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 90
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 300
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 395
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 28
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 174
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: pg-to247-3
быстрый просмотр
207 шт.
830 руб. ×
от 15 шт. — 814 руб.
от 150 шт. — 812 руб.
IRGP4790DPBF, IGBT транзистор 650В 90А TO247AC
1 шт.
Пр-во: Infineon
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.7
Корпус: to247ac
быстрый просмотр
1 шт.
620 руб. ×
IRGP4790PBF, Транзистор, IGBT, 650В 90А [TO-247]
2 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen 6.2
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 140
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 225
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 455
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 200
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: to-247ac
быстрый просмотр
2 шт.
1 840 руб. ×
от 2 шт. — 1 720 руб.
IRGP4263DPBF, Транзистор IGBT 650В 60А TO-247
6 дней, 14 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen6
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 90
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 192
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 325
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 70
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 140
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: to-247ac
быстрый просмотр
6 дней,
14 шт.
860 руб.
770 руб.
×
от 3 шт. — 550 руб.
от 5 шт. — 514 руб.
от 10 шт. — 475 руб.
IRGP4790DPBF, Транзистор, IGBT, 650В 90А [TO-247]
6 дней, 84 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen 6.2
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 140
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 225
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 455
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 200
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: to-247ac
быстрый просмотр
6 дней,
84 шт.
820 руб. ×
от 4 шт. — 680 руб.
от 7 шт. — 616 руб.
от 13 шт. — 571 руб.
IRGB4715DPBF, Транзистор, IGBT, 650В 15А [TO-220AB]
3-5 недель, 7 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen 6.2
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 21
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 24
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 30
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 100
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
3-5 недель,
7 шт.
216 руб. ×
IRGP4266DPBF, Транзистор IGBT, N-канал 650В 140А [TO-247AC]
3-5 недель, 7 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen6
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 140
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 300
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 455
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 200
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: to-247ac
быстрый просмотр
3-5 недель,
7 шт.
1 770 руб. ×
IXXK160N65B4, Транзистор, XPT GenX4 IGBT, 650В, 160А, 90нс [TO-264]
3-5 недель, 3 шт.
Пр-во: Ixys
Технология/семейство: genx4, xpt
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 310
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 860
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 940
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 52
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 220
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-264
быстрый просмотр
3-5 недель,
3 шт.
3 070 руб. ×
IRGP4262DPBF, Транзистор, IGBT, 650В, 60А [TO-247AC]
По запросу
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen6
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 96
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 73
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: to-247ac
быстрый просмотр
По запросу
200 руб. ×
IRGP4266PBF, Транзистор IGBT 650В 90А TO-247
По запросу
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen6
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 140
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 300
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 455
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 200
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: to-247ac
быстрый просмотр
По запросу
280 руб. ×
IRGP4740DPBF, Транзистор, IGBT, 650В 40А [TO-247]
По запросу
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen 6.2
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 72
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 73
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: to-247ac
быстрый просмотр
По запросу
100 руб. ×
IRGP4750DPBF, Транзистор, IGBT, 650В 50А [TO-247]
По запросу
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen 6.2
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 105
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 273
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 105
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: to-247ac
быстрый просмотр
По запросу
250 руб. ×
IRGP4760DPBF, Транзистор, IGBT, 650В 60А [TO-247]
По запросу
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen 6.2
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 90
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 144
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 325
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 70
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 140
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: to-247ac
быстрый просмотр
По запросу
260 руб. ×
IRGP4760PBF, Транзистор, IGBT, 650В 60А [TO-247]
По запросу
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen 6.2
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 90
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 144
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 325
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 70
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 140
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: to-247ac
быстрый просмотр
По запросу
140 руб. ×
от 5 шт. — 130 руб.
от 50 шт. — 122 руб.
IRGS4715DPBF, Транзистор, IGBT, 650В 15А [D2-PAK]
По запросу
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen 6.2
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 21
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 24
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 30
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 100
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: d2-pak
быстрый просмотр
По запросу
45 руб. ×
IXXH60N65C4, Транзистор, XPT GenX4 IGBT, 650В, 60А, 30нс [TO-247]
По запросу
Пр-во: Ixys
Технология/семейство: genx4, xpt
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 118
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 455
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 37
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 133
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-247AD
быстрый просмотр
По запросу
200 руб. ×
от 5 шт. — 184 руб.
от 50 шт. — 177 руб.