Мой регион: Россия

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)4 из 460

Спецпредложение
Сортировка: Рекомендуем Хиты продаж Дешевле Дороже
Производители
Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Волгоград
Воронеж
Екатеринбург
Ижевск
Казань
Калуга
Краснодар
Красноярск
Минск
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Пермь
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саратов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Уфа
Челябинск
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
HGTG5N120BND, Транзистор IGBT NPT 1200В 21А 167Вт [TO-247]
189 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 21
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 167
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 160
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
189 шт.
120 руб. ×
от 15 шт. — 110 руб.
от 150 шт. — 108 руб.
ISL9V3040S3ST, Транзистор IGBT 400В 21А [D2-PAK/ TO-263AB]
867 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: ignition
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 430
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 21
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 150
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 4800
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: d2-pak
Добавить к сравнению
867 шт.
94 руб. ×
от 15 шт. — 89 руб.
от 150 шт. — 88 руб.
IRGB4715DPBF, Транзистор, IGBT, 650В 15А [TO-220AB]
3-4 недели, 50 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen 6.2
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 21
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 24
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 30
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 100
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: TO-220AB
Добавить к сравнению
3-4 недели,
50 шт.
137 руб. ×
от 10 шт. — 136 руб.
от 25 шт. — 134 руб.
IRGS4715DPBF, Транзистор, IGBT, 650В 15А [D2-PAK]
По запросу
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen 6.2
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 21
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 24
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 30
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 100
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: d2-pak
Добавить к сравнению
По запросу
45 руб. ×