|
FGH40T100SMD, Транзистор IGBT, 1000 В, 80 А, 333 Вт, [TO-247-3]
622 шт.
Пр-во: Fairchild
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1000
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 333
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 29
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 285
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247a03
|
быстрый просмотр |
622 шт. |
390 руб.
×
от 15 шт. — 366 руб.
от 150 шт. — 364 руб.
|
|
IGW40T120FKSA1 (G40T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 40А 270Вт [PG-TO-247-3] (замена BUP314)
392 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 105
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 270
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 48
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 480
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
Корпус: pg-to-247-3
|
быстрый просмотр |
392 шт. |
370 руб.
×
от 15 шт. — 364 руб.
от 150 шт. — 361 руб.
|
|
IKW50N60H3FKSA1 (K50H603), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 50А, [TO-247]
1288 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 100
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 333
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 235
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: pg-to247-3
|
быстрый просмотр |
1288 шт. |
330 руб.
×
от 15 шт. — 317 руб.
от 150 шт. — 314 руб.
|
|
STGW40V60DF, Транзистор IGBT 600V 80A 283W, [TO-247]
661 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 283
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 52
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 208
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247
|
быстрый просмотр |
661 шт. |
320 руб.
×
от 10 шт. — 312 руб.
от 100 шт. — 308 руб.
|
|
STGW60V60DF, Транзистор IGBT, N-канальный, 600 В, 80 А, 375 Вт, [TO-247]
709 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 375
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 60
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 208
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247
|
быстрый просмотр |
709 шт. |
400 руб.
×
от 15 шт. — 390 руб.
от 150 шт. — 387 руб.
|
|
IRG4PC50WPBF, IGBT 600В 55А 150кГц [TO-247]
176 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 55
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 220
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 46
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 120
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
|
быстрый просмотр |
176 шт. |
330 руб.
×
от 15 шт. — 310 руб.
от 150 шт. — 305 руб.
|
|
IRG4PSC71KPBF, IGBT 600В 85А [Super247]
3 дня, 6 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 85
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 350
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 34
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 54
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: super-247
|
быстрый просмотр |
3 дня, 6 шт. |
540 руб.
×
|
|
IXXH50N60C3D1, Транзистор, XPT GenX3 IGBT, 600В, 50А, 42нс [TO-247AD]
4 дня, 30 шт.
Пр-во: Ixys
Технология/семейство: genx3, xpt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 100
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 600
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 62
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-247AD
|
быстрый просмотр |
4 дня, 30 шт. |
900 руб.
×
от 2 шт. — 830 руб.
от 3 шт. — 777 руб.
от 6 шт. — 710 руб.
|
|
IXXH50N60C3, Транзистор, XPT GenX3 IGBT, 600В, 50А, 42нс [TO-247AD]
3-4 недели, 12 шт.
Пр-во: Ixys
Технология/семейство: genx3, xpt
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 100
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 600
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 62
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-247AD
|
быстрый просмотр |
3-4 недели, 12 шт. |
1 330 руб.
×
|
|
IRG7PSH73K10PBF, IGBT 1200В 75А, [TO-247AA]
По запросу
Пр-во: IR
Технология/семейство: trench
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 220
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 225
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 1150
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 63
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 267
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: super-247
|
быстрый просмотр |
По запросу |
970 руб.
×
|
|
|