Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)52 из более 1000

Спецпредложения
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
Производители
Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Алматы
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Гомель
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Минск
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Уфа
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
FGA40N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 40А [TO-3PN]
49 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 349
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 12
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 92
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-3PN
быстрый просмотр
49 шт.
310 руб. ×
от 15 шт. — 300 руб.
от 150 шт. — 298 руб.
FGA60N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 60А [TO-3PN]
35 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 120
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 180
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 600
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-3PN
быстрый просмотр
35 шт.
410 руб. ×
от 15 шт. — 395 руб.
от 150 шт. — 393 руб.
FGA6540WDF, Транзистор, IGBT, Field Stop Trench, 650В, 40А [TO-3PN]
571 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 238
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 16.8
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 54.4
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-3PN
быстрый просмотр
571 шт.
260 руб. ×
от 15 шт. — 237 руб.
от 150 шт. — 235 руб.
FGH15T120SMD_F155, Транзистор, Field Stop Trench, IGBT, 1200В, 15А, 333Вт, (=HGTG5N120BND), [TO-247]
246 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 333
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 32
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 490
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247g03
быстрый просмотр
246 шт.
400 руб. ×
от 15 шт. — 385 руб.
от 150 шт. — 383 руб.
FGH30S130P, Транзистор, IGBT, Field Stop Trench, Shorted-anode, 1300В, 30А [TO-247]
428 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1300
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 90
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 500
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 39
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 620
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247
быстрый просмотр
428 шт.
390 руб. ×
от 15 шт. — 377 руб.
от 150 шт. — 375 руб.
FGH40N60SMD, Транзистор, IGBT, 600В, 80А, 349Вт [TO-247]
3905 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 349
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 12
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 92
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247
быстрый просмотр
3905 шт.
330 руб. ×
от 15 шт. — 315 руб.
от 150 шт. — 313 руб.
FGH40T100SMD, Транзистор IGBT, 1000 В, 80 А, 333 Вт, [TO-247-3]
444 шт.
Пр-во: Fairchild
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1000
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 333
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 29
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 285
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247a03
быстрый просмотр
444 шт.
390 руб. ×
от 15 шт. — 366 руб.
от 150 шт. — 364 руб.
FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]
1529 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 120
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 180
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 600
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247
быстрый просмотр
1529 шт.
540 руб. ×
от 15 шт. — 527 руб.
от 150 шт. — 525 руб.
FGY75N60SMD, Транзистор, Field Stop IGBT 600В 75А [Power TO247 / TO-247D03]
204 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 150
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 225
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 750
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 136
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247d03
быстрый просмотр
204 шт.
570 руб. ×
от 15 шт. — 551 руб.
от 150 шт. — 549 руб.
GT40WR21,Q(O, Транзистор IGBT 1800В 40А 375Вт [TO-3P(N)]
188 шт.
Пр-во: Toshiba
Технология/семейство: gen 6.5
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1800
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 375
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-3p(n)
быстрый просмотр
188 шт.
880 руб. ×
от 10 шт. — 795 руб.
от 100 шт. — 767 руб.
GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]
4181 шт.
Пр-во: Toshiba
Технология/семейство: gen 6.5
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 100
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.55
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 230
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 250
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 330
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-3p(n)
быстрый просмотр
4181 шт.
180 руб. ×
от 15 шт. — 168 руб.
от 150 шт. — 166 руб.
IRGB4056DPBF, IGBT 600В 24А [TO-220AB]
1117 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 24
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 48
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.85
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 140
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 31
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 83
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
1117 шт.
210 руб. ×
от 15 шт. — 198 руб.
от 150 шт. — 197 руб.
IRGB4062DPBF, IGBT 600В 48А [TO-220AB]
155 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 48
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 72
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.95
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 41
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
155 шт.
280 руб. ×
от 15 шт. — 266 руб.
от 150 шт. — 265 руб.
IRGP4062DPBF, IGBT 600В 48А 8-30кГц [TO-247AC]
114 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 48
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 72
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.95
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 41
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247ac
быстрый просмотр
114 шт.
400 руб. ×
от 15 шт. — 382 руб.
от 150 шт. — 379 руб.
IRGP4063PBF, IGBT 600В 96А 8-30кГЦ [TO-247AC]
174 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 96
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 144
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.14
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 330
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 60
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 145
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247ac
быстрый просмотр
174 шт.
450 руб. ×
от 15 шт. — 438 руб.
от 150 шт. — 437 руб.
IRGP4066D-EPBF, Транзистор IGBT 600В 140А 454Вт [TO-247AD]
182 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 140
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 225
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 454
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 200
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-247AD
быстрый просмотр
182 шт.
940 руб. ×
от 15 шт. — 922 руб.
от 150 шт. — 920 руб.
IRGP4640DPBF, Транзистор, IGBT, N-канал, 600В, 65А [TO-247AC]
37 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: gen 6.2
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 65
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 72
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.9
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 41
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247ac
быстрый просмотр
37 шт.
280 руб. ×
от 15 шт. — 273 руб.
от 150 шт. — 270 руб.
IRGP4650DPBF, Транзистор IGBT 600В 76А 268Вт [TO-247AC]
152 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: gen 6.2
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 76
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 105
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.9
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 268
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 46
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 105
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247ac
быстрый просмотр
152 шт.
550 руб. ×
от 15 шт. — 539 руб.
от 150 шт. — 537 руб.
IRGPS46160DPBF, Транзистор, IGBT Gen 6.2, 600В,120А, 8-30кГц [Super247]
166 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: gen 6.2
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 240
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 360
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.05
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 750
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 80
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 190
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: super-247
быстрый просмотр
166 шт.
1 270 руб. ×
от 15 шт. — 1 260 руб.
от 150 шт. — 1 258 руб.
STGD18N40LZT4, IGBT транзистор, 400V, 25A, [D-PAK]
773 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh, internally clamped
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 420
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 25
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 125
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 650
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 13500
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: d-pak
быстрый просмотр
773 шт.
150 руб. ×
от 15 шт. — 135 руб.
от 150 шт. — 132 руб.
Страницы Ctrl ← предыдущая Ctrl → следующая
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60