Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs), стр.2

34 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Технология/семейство
сбросить
Наличие встроенного диода
сбросить
Максимальное напряжение КЭ ,В
сбросить
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
сбросить
Импульсный ток коллектора (Icm), А
сбросить
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
сбросить
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
сбросить
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
сбросить
Рабочая температура (Tj), °C
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
FGH15T120SMD_F155, Транзистор, Field Stop Trench, IGBT, 1200В, 15А, 333Вт, (=HGTG5N120BND), [TO-247]
Бренд: ON Semiconductor
Технология/семейство: Field Stop, Trench
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 333
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 32
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 490
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-247-3LD
быстрый просмотр
950 руб. ×
от 15 шт. — 904 руб.
FGH40T120SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop Trench, 1200В, 40А [TO-247]
Бренд: ON Semiconductor
Технология/семейство: Field Stop, Trench
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 555
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 40
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 475
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-247-3LD
быстрый просмотр
1 970 руб. ×
FGY75N60SMD, Транзистор, Field Stop IGBT 600В 75А [Power TO247 / TO-247D03]
Бренд: ON Semiconductor
Технология/семейство: Field Stop/Gen 2
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 150
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 225
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 750
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 136
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-247-3LD
быстрый просмотр
500 руб. ×
от 15 шт. — 465 руб.
IRGB4062DPBF, Транзистор IGBT 600В 48А [TO-220AB]
Бренд: Infineon
Технология/семейство: Trench
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 48
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 72
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.95
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 41
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
240 руб. ×
от 15 шт. — 225 руб.
IRGP4062DPBF, Транзистор IGBT 600В 48А 8-30кГц [TO-247AC]
Бренд: Infineon
Технология/семейство: Trench
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 48
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 72
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.95
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 41
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-247AC
быстрый просмотр
340 руб. ×
от 15 шт. — 315 руб.
IRGP4063PBF, Транзистор IGBT 600В 96А 8-30кГЦ [TO-247AC]
Бренд: Infineon
Технология/семейство: Trench
Наличие встроенного диода: Нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 96
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 144
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.14
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 330
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 60
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 145
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-247AC
быстрый просмотр
390 руб. ×
от 15 шт. — 360 руб.
IRGP4066D-EPBF, Транзистор IGBT 600В 140А 454Вт [TO-247AD]
Бренд: Infineon
Технология/семейство: Trench
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 140
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 225
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 454
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 200
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-247AD
быстрый просмотр
800 руб. ×
от 15 шт. — 750 руб.
IRGP4650DPBF, Транзистор IGBT 600В 76А 268Вт [TO-247AC]
Бренд: Infineon
Технология/семейство: Gen 6.2
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 76
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 105
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.9
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 268
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 46
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 105
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-247AC
быстрый просмотр
480 руб. ×
от 15 шт. — 450 руб.
IRGPS46160DPBF, Транзистор, IGBT Gen 6.2, 600В,120А, 8-30кГц [Super247]
Бренд: Infineon
Технология/семейство: Gen 6.2
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 240
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 360
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.05
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 750
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 80
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 190
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: Super-247
быстрый просмотр
2 300 руб. ×
от 15 шт. — 2 160 руб.
MSG50T120FQW, Транзистор IGBT 1200В 50А 320Вт [TO-264]
10 недель, 100 шт.
Бренд: MASPOWER
Технология/семейство: Trench/Field-Stop
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 100
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 535
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 118
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 282
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-264
быстрый просмотр
10 недель,
100 шт.
510 руб. ×
от 10 шт. — 452 руб.
STGW60V60DF, Транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 375 Вт, [TO-247]
По запросу
Бренд: Китай
Технология/семейство: Trench and Fieldstop
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 375
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 60
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 208
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
По запросу
600 руб. ×
от 15 шт. — 585 руб.
STGD18N40LZT4, Транзистор IGBT 400В 25А [D-PAK]
Нет в наличии
Бренд: ST Microelectronics
Технология/семейство: PowerMESH, Internally Clamped
Наличие встроенного диода: Нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 420
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 25
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 125
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 650
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 13500
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: DPAK/TO-252AA
быстрый просмотр
Нет в наличии
FGAF20N60SMD, IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin TO-3PF
Бренд: ON Semiconductor
Технология/семейство: Field Stop/Gen 2
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 75
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 12
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 91
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-3pf
480 руб. ×
FGH75T65SQDTL4, Транзистор IGBT 650В 75А [TO-247-4LD]
Бренд: ON Semiconductor
Технология/семейство: Field Stop
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 150
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 300
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 375
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 44
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 296
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-247-4LD
1 560 руб. ×
от 5 шт. — 1 370 руб.
Страница
  • 1
  • 2
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60