Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)4 из более 1000

Спецпредложения
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
Производители
Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Алматы
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Гомель
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Минск
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
FGA40N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 40А [TO-3PN]
119 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 349
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 12
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 92
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-3PN
быстрый просмотр
119 шт.
380 руб. ×
от 15 шт. — 360 руб.
от 150 шт. — 358 руб.
FGA60N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 60А [TO-3PN]
778 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 120
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 180
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 600
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-3PN
быстрый просмотр
778 шт.
500 руб. ×
от 15 шт. — 474 руб.
от 150 шт. — 472 руб.
FGA6540WDF, Транзистор, IGBT, Field Stop Trench, 650В, 40А [TO-3PN]
509 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 238
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 16.8
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 54.4
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-3PN
быстрый просмотр
509 шт.
320 руб. ×
от 15 шт. — 285 руб.
от 150 шт. — 282 руб.
SGH80N60UFDTU, Транзистор IGBT UFD 600В 80А 195Вт [TO-3PN]
По запросу
Пр-во: Fairchild
Технология/семейство: ufd
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 220
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 195
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 90
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-3PN
быстрый просмотр
По запросу
480 руб. ×
от 15 шт. — 464 руб.
от 150 шт. — 462 руб.