Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

_{20 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

IRGB4056DPBF, Транзистор IGBT 600В 24А [TO-220AB] Бренд: Infineon Технология/семейство: Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 24 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 48 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.85 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 140 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 31 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 83 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		440 руб. × от 15 шт. — 394 руб.
IRGB4062DPBF, Транзистор IGBT 600В 48А [TO-220AB] Бренд: Infineon Технология/семейство: Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 48 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 72 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.95 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 41 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		240 руб. × от 15 шт. — 225 руб.
IRGB4610DPBF, Транзистор, IGBT, 600В, 10А, [TO-220AB] Бренд: IR Технология/семейство: Gen 6.2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 16 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 18 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 77 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 27 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 75 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		180 руб. × от 10 шт. — 162 руб.
IRGB4620DPBF, Транзистор, IGBT с диодом, N-канал, 600В, 32А [TO-220AC] Бренд: Infineon Технология/семейство: Gen 6.2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 32 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 36 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.85 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 140 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 31 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 83 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		310 руб. × от 15 шт. — 280 руб.
HGTP10N120BN, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт Бренд: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		230 руб. × от 7 шт. — 200 руб. от 14 шт. — 193 руб.
IRG4BC20FDPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 24 А, 60 Вт Бренд: Infineon Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		150 руб. × от 7 шт. — 140 руб. от 14 шт. — 122 руб. от 28 шт. — 117 руб.
IRG4BC20SPBF, Транзистор биполярный IGBT 600В 19A 60Вт TO220AB Бренд: Infineon Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		76 руб. × от 13 шт. — 69 руб. от 25 шт. — 63 руб. от 50 шт. — 60 руб.
IRG4BC30FDPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 100 Вт Бренд: Infineon Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		1 200 руб. × от 3 шт. — 1 120 руб. от 5 шт. — 1 050 руб. от 10 шт. — 991 руб.
IRG4BC30KDPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 28 А, 100 Вт Бренд: Infineon Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		370 руб. × от 8 шт. — 320 руб. от 15 шт. — 296 руб. от 30 шт. — 285 руб.
IRG4BC30KPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 28 А, 100 Вт Бренд: Infineon Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		410 руб. × от 7 шт. — 370 руб. от 14 шт. — 340 руб. от 27 шт. — 327 руб.
IRG4BC30UDPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100 Вт Бренд: Infineon Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		1 350 руб. × от 3 шт. — 1 260 руб. от 5 шт. — 1 190 руб. от 9 шт. — 1 120 руб.
IRG4BC30UPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100 Вт Бренд: Infineon Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		220 руб. × от 8 шт. — 190 руб. от 15 шт. — 184 руб. от 30 шт. — 176 руб.
IRG4BC30WPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 100 Вт Бренд: Infineon Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		270 руб. × от 23 шт. — 220 руб. от 50 шт. — 202 руб. от 100 шт. — 196 руб.
IRG4BC40FPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 49 А, 160 Вт Бренд: Infineon Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		1 150 руб. × от 3 шт. — 1 070 руб. от 5 шт. — 1 010 руб.
IRG4BC40WPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 160 Вт Бренд: Infineon Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		330 руб. × от 9 шт. — 270 руб. от 18 шт. — 247 руб. от 36 шт. — 237 руб.
STGP10NB60S, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 29 А, 80 Вт 12 дней, 54 шт. Бренд: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр	12 дней, 54 шт.	110 руб. × от 10 шт. — 96 руб. от 19 шт. — 88 руб. от 37 шт. — 84 руб.
STGP14NC60KD, Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 14 А, 600 В, 80 Вт 12 дней, 83 шт. Бренд: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр	12 дней, 83 шт.	410 руб. × от 7 шт. — 350 руб. от 14 шт. — 324 руб. от 28 шт. — 311 руб.
STGP20NC60V, Биполярный транзистор IGBT 600В 60А 200Вт TO220 12 дней, 103 шт. Бренд: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр	12 дней, 103 шт.	630 руб. × от 5 шт. — 530 руб. от 10 шт. — 489 руб. от 19 шт. — 471 руб.
STGP6NC60HD, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 15 А, 56 Вт 12 дней, 1617 шт. Бренд: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр	12 дней, 1617 шт.	69 руб. × от 14 шт. — 63 руб. от 28 шт. — 57 руб. от 50 шт. — 54 руб.
HGTP20N60A4, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт Бренд: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB			350 руб. × от 8 шт. — 300 руб. от 16 шт. — 280 руб. от 32 шт. — 269 руб.