Мой регион: Россия

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)29 из 438

Спецпредложение
Сортировка: Рекомендуем Хиты продаж Дешевле Дороже
Производители
Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Волгоград
Воронеж
Екатеринбург
Ижевск
Казань
Калуга
Краснодар
Красноярск
Минск
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Пермь
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Уфа
Челябинск
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
FGH40N60SFDTU, Транзистор, IGBT 600В 40А, [TO-247]
2935 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 115
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
2935 шт.
210 руб. ×
от 15 шт. — 200 руб.
от 150 шт. — 198 руб.
FGH40N60SMD, Транзистор, IGBT, 600В, 80А, 349Вт [TO-247]
1412 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 349
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 12
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 92
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
1412 шт.
200 руб.
190 руб.
×
от 15 шт. — 180 руб.
от 150 шт. — 178 руб.
FGH40N60UFDTU, Транзистор IGBT Field Stop 600В 80А 290Вт [TO-247]
978 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 112
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
978 шт.
230 руб. ×
от 15 шт. — 220 руб.
от 150 шт. — 218 руб.
FGH60N60SFDTU, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]
1155 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 120
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 180
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 378
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 134
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
1155 шт.
290 руб. ×
от 15 шт. — 274 руб.
от 150 шт. — 272 руб.
FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]
1407 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 120
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 180
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 600
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
1407 шт.
460 руб. ×
от 15 шт. — 387 руб.
от 150 шт. — 382 руб.
FGH80N60FDTU, Транзистор, Field Stop, IGBT, 600В, 80А, 290Вт (=SGH80N60UFTU), [TO-247]
271 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 21
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 126
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
271 шт.
220 руб. ×
от 15 шт. — 210 руб.
от 150 шт. — 208 руб.
HGTG10N120BND, IGBT транзистор, [TO-247]
184 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 35
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 298
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 165
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
184 шт.
190 руб. ×
от 15 шт. — 179 руб.
от 150 шт. — 177 руб.
HGTG11N120CND, Транзистор IGBT 1200В 43А 298Вт [TO-247]
74 шт.
Пр-во: Fairchild
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 43
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 298
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 180
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
74 шт.
160 руб. ×
от 15 шт. — 147 руб.
от 150 шт. — 145 руб.
HGTG12N60A4D, Транзистор IGBT 600В 54А 167Вт [TO-247]
207 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: SMPS
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 54
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 96
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 167
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 96
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
207 шт.
130 руб. ×
от 15 шт. — 120 руб.
от 150 шт. — 118 руб.
HGTG20N60A4, IGBT 600В 70А [TO-247]
600 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: SMPS
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 280
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 73
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
600 шт.
190 руб. ×
от 15 шт. — 180 руб.
от 150 шт. — 178 руб.
HGTG20N60A4D, Транзистор IGBT 600В 70А 290Вт встроенный диод [TO-247]
750 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: SMPS
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 280
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 73
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
750 шт.
200 руб. ×
от 15 шт. — 190 руб.
от 150 шт. — 188 руб.
HGTG20N60B3 [HG20N60B3], Транзистор IGBT UFS 600В 40А 165Вт [TO-247AC]
77 шт.
Пр-во: Fairchild
Технология/семейство: ufs
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 165
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
77 шт.
220 руб. ×
от 10 шт. — 201 руб.
от 100 шт. — 198 руб.
HGTG30N60A4, IGBT 600В 75А, [TO-247]
1421 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: SMPS
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 463
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 150
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
1421 шт.
240 руб.
210 руб.
×
от 15 шт. — 200 руб.
от 150 шт. — 198 руб.
HGTG30N60A4D, IGBT+ диод 600В 75А [TO-247]
934 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: SMPS
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 463
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 150
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
934 шт.
280 руб.
260 руб.
×
от 15 шт. — 249 руб.
от 150 шт. — 247 руб.
HGTG30N60B3D, IGBT+диод 600В 60А [TO-247]
88 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: ufs
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 220
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.9
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 208
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 36
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 137
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
88 шт.
230 руб. ×
от 15 шт. — 213 руб.
от 150 шт. — 211 руб.
HGTG40N60B3, Транзистор, UFS IGBT, N-канал, 70А, 600В, [TO-247]
200 шт.
Пр-во: Fairchild
Технология/семейство: ufs
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 330
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 47
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 170
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
200 шт.
730 руб. ×
от 15 шт. — 715 руб.
от 150 шт. — 713 руб.
HGTG5N120BND, Транзистор IGBT NPT 1200В 21А 167Вт [TO-247]
294 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 21
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 167
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 160
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
294 шт.
120 руб. ×
от 15 шт. — 110 руб.
от 150 шт. — 108 руб.
STGW20NC60VD, IGBT 50КГц/30А/600В диод, [TO-247]
454 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 31
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 100
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
454 шт.
120 руб. ×
от 15 шт. — 106 руб.
от 150 шт. — 104 руб.
STGW35HF60WD, IGBT 600В 60А 200Вт, [TO-247]
294 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: hf, planar
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 30
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 175
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
294 шт.
210 руб. ×
от 15 шт. — 203 руб.
от 150 шт. — 202 руб.
STGW38IH130D, IGBT, 1300V, 63A, 250W, [TO-247]
150 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1300
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 63
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 125
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 284
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
150 шт.
170 руб.
150 руб.
×
от 15 шт. — 140 руб.
от 150 шт. — 138 руб.
Страницы Ctrl ← предыдущая Ctrl → следующая
  • 1
  • 2