Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)25 из более 1000

Спецпредложения
Сортировка: Рекомендуем Хиты продаж Дешевле Дороже
Производители
Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Барнаул
Белгород
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Гомель
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курск
Липецк
Минск
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Уфа
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264]
990 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 64
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 500
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 110
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-264
быстрый просмотр
990 шт.
570 руб. ×
от 15 шт. — 552 руб.
от 150 шт. — 549 руб.
HGTG10N120BND, IGBT транзистор, [TO-247]
288 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 35
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 298
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 165
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
288 шт.
240 руб. ×
от 15 шт. — 232 руб.
от 150 шт. — 230 руб.
HGTG11N120CND, Транзистор IGBT 1200В 43А 298Вт [TO-247]
420 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 43
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 298
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 180
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
420 шт.
190 руб. ×
от 15 шт. — 182 руб.
от 150 шт. — 179 руб.
HGTG5N120BND, Транзистор IGBT NPT 1200В 21А 167Вт [TO-247]
383 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 21
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 167
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 160
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
383 шт.
150 руб. ×
от 15 шт. — 143 руб.
от 150 шт. — 140 руб.
IRGP50B60PD1PBF, Транзистор, IGBT 600В 75А 150кГц [TO-247AC]
1156 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.85
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 390
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 30
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 130
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
быстрый просмотр
1156 шт.
440 руб. ×
от 15 шт. — 430 руб.
от 150 шт. — 428 руб.
SGP02N120XKSA1 (GP02N120), Транзистор IGBT 1200В 6.2А 62Вт [TO-220]
173 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 6.2
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 9.6
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 62
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 260
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: pg-to-220-3-1
быстрый просмотр
173 шт.
110 руб. ×
от 15 шт. — 105 руб.
от 150 шт. — 104 руб.
SGP07N120XKSA1 (GP07N120), FastIGBT 1200В 8A, [TO-220]
116 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 16.5
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 27
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 125
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 27
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 440
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: pg-to-220-3-1
быстрый просмотр
116 шт.
170 руб. ×
от 10 шт. — 162 руб.
от 100 шт. — 158 руб.
SGP15N120XKSA1 (GP15N120), Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 198 Вт, (замена для BUP213), [TO-220]
208 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 52
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 198
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 580
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: pg-to-220-3-1
быстрый просмотр
208 шт.
310 руб. ×
от 15 шт. — 299 руб.
от 150 шт. — 298 руб.
SGW25N120FKSA1, Транзистор IGBT, NPT, 1200В, 25А [PG-TO-247-3]
578 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 46
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 84
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 313
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 45
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 730
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: pg-to-247-3
быстрый просмотр
578 шт.
540 руб. ×
от 15 шт. — 531 руб.
от 150 шт. — 529 руб.
SKW25N120FKSA1 (K25N120), FastIGBT+D 1200В 25A, [TO-247]
253 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 46
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 84
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 313
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 45
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 730
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: pg-to-247-3
быстрый просмотр
253 шт.
740 руб. ×
от 15 шт. — 722 руб.
от 150 шт. — 720 руб.
AUIRGP50B60PD1, Auto IGBT 600В 75А 150кГц [TO-247AC]
73 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.85
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 390
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 30
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 130
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
быстрый просмотр
73 шт.
500 руб. ×
от 15 шт. — 494 руб.
от 150 шт. — 492 руб.
IRGP20B60PDPBF, SMPS IGBT 600В 40А 60-150кГц [TO-247AC]
52 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 220
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 20
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 115
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
быстрый просмотр
52 шт.
260 руб. ×
от 15 шт. — 247 руб.
от 150 шт. — 244 руб.
IRGP30B120KD-EP, Транзистор IGBT 1200В 30А 5-40кГц [TO-247AD]
122 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 300
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 210
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-247AD
быстрый просмотр
122 шт.
460 руб. ×
от 15 шт. — 447 руб.
от 150 шт. — 444 руб.
IRGPS60B120KDP, IGBT 1200В 120А 40кГц, [TO-274AA] (SUPER-247)
210 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 105
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.75
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 595
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 72
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 366
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: super-247
быстрый просмотр
210 шт.
1 300 руб. ×
от 3 шт. — 1 230 руб.
от 30 шт. — 1 170 руб.
SKW30N60HS (K30N60HS), Высокоскоростной IGBT в NPT-технологии, 600В, 30А, Eoff=480µJ, [PG-TO-247-3]
4 шт.
Пр-во: Китай
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 41
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 112
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.15
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 20
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 250
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: pg-to-247-3
быстрый просмотр
4 шт.
360 руб. ×
от 5 шт. — 345 руб.
от 50 шт. — 342 руб.
IRGPS40B120UDP, Транзистор, IGBT 1200В 40А 5-40кГц, [Super-247]
1 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 595
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 76
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 332
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: super-247
быстрый просмотр
1 шт.
1 270 руб. ×
IRGP35B60PDPBF, IGBT 600В 40А 150кГц
7 дней, 487 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.25
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 308
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 26
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 110
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
быстрый просмотр
7 дней,
487 шт.
500 руб. ×
от 10 шт. — 320 руб.
от 20 шт. — 297 руб.
HGTG27N120BN, 72A/1200V N-
3-5 недель, 315 шт.
Пр-во: Fairchild
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 72
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 216
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 500
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 195
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
3-5 недель,
315 шт.
1 170 руб. ×
от 10 шт. — 1 050 руб.
от 25 шт. — 987 руб.
от 100 шт. — 855.04 руб.
IXDH30N120D1, Транзистор, NPT IGBT, 1200В, 60А [TO-247AD 3L]
3-5 недель, 14 шт.
Пр-во: Ixys
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 76
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 300
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-247AD
быстрый просмотр
3-5 недель,
14 шт.
1 350 руб. ×
от 5 шт. — 1 240 руб.
от 10 шт. — 1 200 руб.
IXDN75N120, Транзистор, NPT IGBT, 1200В, 150А [SOT-227B (minibloc)]
3-5 недель, 4 шт.
Пр-во: Ixys
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 150
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 190
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 660
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
3-5 недель,
4 шт.
4 840 руб. ×
от 2 шт. — 4 660 руб.
от 4 шт. — 4 500 руб.
Страницы Ctrl ← предыдущая Ctrl → следующая
  • 1
  • 2
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60