Мой регион: Россия

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)28 из 459

Спецпредложение
Сортировка: Рекомендуем Хиты продаж Дешевле Дороже
Производители
Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Волгоград
Воронеж
Екатеринбург
Ижевск
Казань
Калуга
Краснодар
Красноярск
Минск
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Пермь
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саратов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Уфа
Челябинск
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264]
1108 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 64
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 500
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 110
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-264
Добавить к сравнению
1108 шт.
440 руб. ×
от 15 шт. — 425 руб.
от 150 шт. — 423 руб.
HGTG10N120BND, IGBT транзистор, [TO-247]
235 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 35
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 298
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 165
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
235 шт.
190 руб. ×
от 15 шт. — 179 руб.
от 150 шт. — 177 руб.
HGTG11N120CND, Транзистор IGBT 1200В 43А 298Вт [TO-247]
127 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 43
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 298
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 180
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
127 шт.
150 руб. ×
от 15 шт. — 140 руб.
от 150 шт. — 138 руб.
HGTG5N120BND, Транзистор IGBT NPT 1200В 21А 167Вт [TO-247]
206 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 21
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 167
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 160
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
206 шт.
120 руб. ×
от 15 шт. — 110 руб.
от 150 шт. — 108 руб.
IRGB20B60PD1PBF, IGBT 600В 40А [TO-220AB]
272 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 215
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 20
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 115
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-220AB
Добавить к сравнению
272 шт.
140 руб. ×
от 15 шт. — 129 руб.
от 150 шт. — 128 руб.
IRGP20B60PDPBF, SMPS IGBT 600В 40А 60-150кГц [TO-247AC]
245 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 220
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 20
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 115
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
Добавить к сравнению
245 шт.
200 руб. ×
от 15 шт. — 190 руб.
от 150 шт. — 188 руб.
IRGP30B120KD-EP, Транзистор IGBT 1200В 30А 5-40кГц [TO-247AD]
209 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 300
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 210
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-247AD
Добавить к сравнению
209 шт.
360 руб. ×
от 15 шт. — 344 руб.
от 150 шт. — 342 руб.
IRGP50B60PD1PBF, Транзистор, IGBT 600В 75А 150кГц [TO-247AC]
7 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.85
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 390
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 30
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 130
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
Добавить к сравнению
7 шт.
280 руб. ×
от 5 шт. — 261 руб.
от 50 шт. — 259 руб.
IRGPS60B120KDP, IGBT 1200В 120А 40кГц, [TO-274AA] (SUPER-247)
377 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 105
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.75
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 595
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 72
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 366
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: super-247
Добавить к сравнению
377 шт.
1 370 руб. ×
от 3 шт. — 1 320 руб.
от 30 шт. — 1 270 руб.
SGB15N60HS (G15N60HS), IGBT N-CH 600V 27A [TO-263]
312 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 27
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.15
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 138
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 13
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 209
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: p-to-263-3-2
Добавить к сравнению
312 шт.
100 руб. ×
от 15 шт. — 95 руб.
от 150 шт. — 94 руб.
SGP07N120 (GP07N120), FastIGBT 1200В 8A, [TO-220]
93 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 16.5
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 27
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 125
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 27
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 440
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: pg-to-220-3-1
Добавить к сравнению
93 шт.
150 руб. ×
от 10 шт. — 140 руб.
от 100 шт. — 137 руб.
SGP15N120 (GP15N120), Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 198 Вт, (замена для BUP213), [TO-220]
128 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 52
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 198
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 580
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: pg-to-220-3-1
Добавить к сравнению
128 шт.
250 руб. ×
от 15 шт. — 238 руб.
от 150 шт. — 237 руб.
SGW25N120, Транзистор IGBT, NPT, 1200В, 25А [PG-TO-247-3]
112 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 46
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 84
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 313
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 45
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 730
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: pg-to-247-3
Добавить к сравнению
112 шт.
420 руб. ×
от 15 шт. — 409 руб.
от 150 шт. — 407 руб.
SKW25N120 (K25N120), FastIGBT+D 1200В 25A, [TO-247]
223 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 46
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 84
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 313
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 45
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 730
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: pg-to-247-3
Добавить к сравнению
223 шт.
530 руб. ×
от 3 шт. — 510 руб.
от 30 шт. — 507 руб.
SKW30N60HS (K30N60HS), Высокоскоростной IGBT в NPT-технологии, 600В, 30А, Eoff=480µJ, [PG-TO-247-3]
326 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 41
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 112
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.15
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 20
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 250
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: pg-to-247-3
Добавить к сравнению
326 шт.
360 руб. ×
от 5 шт. — 345 руб.
от 50 шт. — 342 руб.
AUIRGP50B60PD1, Auto IGBT 600В 75А 150кГц [TO-247AC]
240 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.85
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 390
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 30
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 130
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
Добавить к сравнению
240 шт.
500 руб. ×
от 15 шт. — 494 руб.
от 150 шт. — 492 руб.
IRGPS40B120UDP, Транзистор, IGBT 1200В 40А 5-40кГц, [Super-247]
6 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 595
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 76
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 332
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: super-247
Добавить к сравнению
6 шт.
710 руб. ×
от 3 шт. — 695 руб.
от 30 шт. — 692 руб.
IXGH32N170, Транзистор, IGBT, 1700В, 75А, 250нс [TO-247AD]
50 шт.
Пр-во: Ixys
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1700
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 350
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 45
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 270
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-247AD
Добавить к сравнению
50 шт.
530 руб. ×
от 5 шт. — 502 руб.
от 50 шт. — 481 руб.
HGTG18N120BND, Транзистор
2-3 недели, 373 шт.
Пр-во: Fairchild
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 54
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 390
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 170
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
2-3 недели,
373 шт.
460 руб. ×
от 10 шт. — 315 руб.
от 100 шт. — 274 руб.
HGTG27N120BN, 72A/1200V N-
5-6 недель, 450 шт.
Пр-во: Fairchild
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 72
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 216
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 500
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 195
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
5-6 недель,
450 шт.
690 руб. ×
от 10 шт. — 563 руб.
от 100 шт. — 501 руб.
Страницы Ctrl ← предыдущая Ctrl → следующая
  • 1
  • 2