Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

5 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Технология/семейство
сбросить
Наличие встроенного диода
сбросить
Максимальное напряжение КЭ ,В
сбросить
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
сбросить
Импульсный ток коллектора (Icm), А
сбросить
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
сбросить
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
сбросить
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
сбросить
Рабочая температура (Tj), °C
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
GT50J325, Транзистор, IGBT, 600В, 50А [2-21F2C]
37 шт.
Бренд: Toshiba
Технология/семейство: Gen 4
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 100
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 240
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: 2-21F2C
быстрый просмотр
37 шт.
1 320 руб. ×
GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]
4497 шт.
Бренд: Toshiba
Технология/семейство: Gen 6.5
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 100
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.55
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 230
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 250
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 330
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-3P(N)
быстрый просмотр
4497 шт.
240 руб. ×
IKW25N120H3FKSA1 (K25H1203), Транзистор IGBT TrenchStop 1200В 25А [PG-TO247-3]
Бренд: Infineon
Технология/семейство: Trench and Fieldstop
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 100
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 326
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 27
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 277
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: PG-TO247-3
быстрый просмотр
1 130 руб. ×
от 15 шт. — 1 080 руб.
IKW25N120T2FKSA1 (K25T1202), Транзистор IGBT TrenchStop 2 1200В 25А [PG-TO247-3]
Бренд: Infineon
Технология/семейство: TRENCHSTOP 2
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 100
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 349
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 27
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 265
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: PG-TO247-3
быстрый просмотр
1 130 руб. ×
от 15 шт. — 1 070 руб.
MSG40T120FQC, Транзистор IGBT 1200В 40А 342Вт [TO-247]
310 шт.
Бренд: MASPOWER
Технология/семейство: Trench/Field-Stop
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 100
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 342
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 85
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 260
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
310 шт.
340 руб. ×
от 10 шт. — 306 руб.