Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

5 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Технология/семейство
сбросить
Наличие встроенного диода
сбросить
Максимальное напряжение КЭ ,В
сбросить
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
сбросить
Импульсный ток коллектора (Icm), А
сбросить
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
сбросить
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
сбросить
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
сбросить
Рабочая температура (Tj), °C
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
GT40WR21,Q(O, Транзистор IGBT 1800В 40А 375Вт [TO-3P(N)]
71 шт.
Бренд: Toshiba
Технология/семейство: Gen 6.5
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1800
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 375
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-3P(N)
быстрый просмотр
71 шт.
1 900 руб. ×
HGTG10N120BND, Транзистор IGBT 1200В 17А [TO-247]
Бренд: ON Semiconductor
Технология/семейство: NPT
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 35
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 298
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 165
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
600 руб. ×
от 15 шт. — 555 руб.
HGTG11N120CND, Транзистор IGBT 1200В 43А 298Вт [TO-247]
Бренд: ON Semiconductor
Технология/семейство: NPT
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 43
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 298
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 180
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
720 руб. ×
от 15 шт. — 669 руб.
MSG20T65FQC, Транзистор IGBT 650В 20А 162Вт [TO-247]
186 шт.
Бренд: MASPOWER
Технология/семейство: Trench/Field-Stop
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 162
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 16
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 52
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
186 шт.
170 руб. ×
от 10 шт. — 145 руб.
MSG20T65FQS, Транзистор IGBT 650В 20А 35Вт [TO-220F]
93 шт.
Бренд: MASPOWER
Технология/семейство: Trench/Field-Stop
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 156
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 16
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 52
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
93 шт.
98 руб. ×
от 10 шт. — 89 руб.