Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)11 из более 1000

Спецпредложения
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
Бренд / Производитель
Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Алматы
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Гомель
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Минск
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
FGH40N60SFDTU, Транзистор, IGBT 600В 40А, [TO-247]
831 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 115
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
831 шт.
410 руб. ×
от 15 шт. — 392 руб.
от 150 шт. — 389 руб.
HGTG30N60A4, Транзистор IGBT 600В 75А, [TO-247]
1756 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: SMPS
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 463
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 150
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
1756 шт.
390 руб. ×
от 15 шт. — 372 руб.
от 150 шт. — 370 руб.
HGTG30N60A4D, Транзистор IGBT 600В 60А [TO-247]
1246 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: SMPS
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 463
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 150
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
1246 шт.
580 руб. ×
от 15 шт. — 564 руб.
от 150 шт. — 562 руб.
STGP19NC60HD, Транзистор PowerMESH IGBT VERY FAST 600V 40A [TO-220-3]
691 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 130
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
быстрый просмотр
691 шт.
260 руб. ×
от 15 шт. — 240 руб.
от 150 шт. — 238 руб.
STGW19NC60HD, Транзистор IGBT, 600В, 42А, 140Вт [TO-247]
25 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 42
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 140
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
быстрый просмотр
25 шт.
180 руб. ×
от 15 шт. — 170 руб.
от 150 шт. — 167 руб.
IRG4BC30WPBF, Транзистор IGBT N-канал 600В 23А [TO-220AB]
254 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 23
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 92
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 99
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
254 шт.
140 руб. ×
от 15 шт. — 137 руб.
от 150 шт. — 136 руб.
IRGB4059DPBF, IGBT 600В 8А [TO-220AB]
17 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: trench
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 8
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 16
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.05
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 56
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 65
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
17 шт.
110 руб. ×
от 15 шт. — 100 руб.
от 150 шт. — 99 руб.
STGF19NC60HD, Транзистор IGBT N-канал 600В 9А [TO-220FP]
6 дней, 278 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 16
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 32
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220fp
быстрый просмотр
6 дней,
278 шт.
260 руб. ×
от 10 шт. — 150 руб.
от 19 шт. — 129 руб.
от 37 шт. — 118 руб.
IRG7PH42UDPBF, IGBT 1200В 85А [TO-247AC]
По запросу
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 85
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 90
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 320
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 229
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
быстрый просмотр
По запросу
920 руб. ×
от 15 шт. — 907 руб.
от 150 шт. — 904 руб.
IRG7PH42UPBF, IGBT 1200В 60А [TO-247AC],Транзистор
По запросу
Пр-во: IR
Технология/семейство: trench
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 78
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 90
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 385
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 229
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247ac
быстрый просмотр
По запросу
440 руб. ×
от 3 шт. — 422 руб.
от 30 шт. — 417 руб.
IRG7PG42UDPBF, Транзистор, IGBT, 1000B, 45A(при Тс 100) [TO-247AC]
По запросу
Пр-во: IR
Технология/семейство: trench
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1000
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 78
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 90
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 320
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 229
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
быстрый просмотр
По запросу
250 руб. ×