Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)5 из более 1000

Спецпредложения
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
Бренд / Производитель
Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Алматы
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Гомель
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Минск
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
HGTG30N60A4, Транзистор IGBT 600В 75А, [TO-247]
1756 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: SMPS
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 463
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 150
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
1756 шт.
390 руб. ×
от 15 шт. — 372 руб.
от 150 шт. — 370 руб.
HGTG30N60A4D, Транзистор IGBT 600В 60А [TO-247]
1246 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: SMPS
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 463
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 150
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
1246 шт.
580 руб. ×
от 15 шт. — 564 руб.
от 150 шт. — 562 руб.
IRG4PC50KDPBF, IGBT 600В 52А 8-25кГц [TO-247AC]
33 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 52
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 104
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 63
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 150
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
быстрый просмотр
33 шт.
340 руб. ×
от 15 шт. — 326 руб.
от 150 шт. — 324 руб.
IXGH72N60B3 транзистор, IGBT 600V 72A GenX3 B3 Lo
1 шт.
Пр-во: Ixys
Технология/семейство: genx3, pt
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 400
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 540
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 31
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 150
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-247AD
быстрый просмотр
1 шт.
820 руб. ×
от 5 шт. — 540 руб.
IRG4PF50WDPBF, IGBT 900В 51А 100кГц, [TO-247]
По запросу
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 900
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 51
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 204
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 71
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 150
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
быстрый просмотр
По запросу
450 руб. ×
от 15 шт. — 444 руб.
от 150 шт. — 441 руб.