Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

5 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Технология/семейство
сбросить
Наличие встроенного диода
сбросить
Максимальное напряжение КЭ ,В
сбросить
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
сбросить
Импульсный ток коллектора (Icm), А
сбросить
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
сбросить
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
сбросить
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
сбросить
Рабочая температура (Tj), °C
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
STGB10NC60HDT4, Транзистор IGBT N-CH 600V 20A [D2-PAK]
169 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Технология/семейство: PowerMESH
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 65
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 14.2
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: d2pak
быстрый просмотр
169 шт.
210 руб. ×
от 15 шт. — 209 руб.
STGF10NC60KD, Транзистор IGBT 600В 9А 25Вт [TO-220FP]
100 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Технология/семейство: PowerMESH
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 9
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 25
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
100 шт.
350 руб. ×
от 15 шт. — 324 руб.
STGP10NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 10А [TO-220]
696 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Технология/семейство: PowerMESH
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 65
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
быстрый просмотр
696 шт.
310 руб. ×
от 15 шт. — 275 руб.
STGP7NC60HD, Транзистор, быстрый IGBT с Ultrafast диодом, 600В, 25А [TO-220]
370 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Технология/семейство: PowerMESH
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 25
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 50
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 80
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18.5
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
быстрый просмотр
370 шт.
290 руб. ×
от 15 шт. — 280 руб.
STGP8NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 8А [TO-220]
250 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Технология/семейство: PowerMESH
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 15
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.75
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 65
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
быстрый просмотр
250 шт.
190 руб. ×
от 15 шт. — 138 руб.