30n60114
30n60 в группе «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»22 | ||||
HGTG30N60A4, IGBT 600В 75А, [TO-247]
2511 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
|
![]() |
2511 шт. |
270 руб.
×
от 15 шт. — 260 руб.
от 150 шт. — 257 руб.
|
|
HGTG30N60A4D, IGBT+ диод 600В 75А [TO-247]
1160 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
|
![]() |
1160 шт. |
330 руб.
×
от 15 шт. — 323 руб.
от 150 шт. — 321 руб.
|
|
HGTG30N60B3D, IGBT+диод 600В 60А [TO-247]
146 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
|
![]() |
146 шт. |
290 руб.
×
от 15 шт. — 276 руб.
от 150 шт. — 274 руб.
|
|
IKW30N60H3FKSA1 (K30H603), Транзистор 600V 60A 187W [TO-247-3]
1534 шт.
Пр-во: Infineon
|
![]() |
1534 шт. |
240 руб.
×
от 15 шт. — 236 руб.
от 150 шт. — 234 руб.
|
|
IKW30N60TFKSA1 (K30T60), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 30А, [TO-247]
492 шт.
Пр-во: Infineon
|
![]() |
492 шт. |
290 руб.
×
от 15 шт. — 273 руб.
от 150 шт. — 271 руб.
|
|
еще 17 товаров по запросу «30n60» | ||||
30n60 в группе «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»3 | ||||
IGW30N60H3FKSA1 IGBT транзистор IGW30N60H3 SP000852242 INF
7 дней, 168 шт.
Пр-во: Infineon
|
![]() |
7 дней, 168 шт. |
330 руб.
×
от 10 шт. — 200 руб.
от 100 шт. — 170 руб.
|
|
FMV30N60S1, Транзистор Super J-MOS, N Канал, 600В, 30А [TO-220F(SLS)
2-4 недели, 95 шт.
Пр-во: Fuji Electric
|
2-4 недели, 95 шт. |
560 руб.
×
|
||
SIHG30N60E-GE3, Транзистор MOSFET N-CH 600В 29A [TO-247AC]
5-6 недель, 476 шт.
Пр-во: Vishay
|
![]() |
5-6 недель, 476 шт. |
452 руб.
×
от 10 шт. — 400 руб.
от 30 шт. — 370 руб.
от 100 шт. — 318 руб.
|
|
30n60 в группе «Транзисторы биполярные (BJTs)»1 | ||||
Транзистор SGW30N60HS
2-3 недели, 24 шт.
Пр-во: Infineon
|
2-3 недели, 24 шт. |
190 руб.
×
от 20 шт. — 184 руб.
|
||
30n60 в группе «Позиции на заказ – БТИЗ Одиночные»6 | ||||
IGB30N60H3ATMA1, БТИЗ транзистор, 60 А, 1.95 В, 187 Вт, 600 В, TO-263 (D2PAK), 3 вывод(-ов)
2-4 недели, 487 шт.
Пр-во: Infineon
|
![]() |
2-4 недели, 487 шт. |
330 руб.
×
от 10 шт. — 284 руб.
от 100 шт. — 194 руб.
|
|
AIKW30N60CTXKSA1, БТИЗ транзистор, 60 А, 1.5 В, 187 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
2-4 недели, 309 шт.
Пр-во: Infineon
|
![]() |
2-4 недели, 309 шт. |
690 руб.
×
от 10 шт. — 525 руб.
от 100 шт. — 421 руб.
|
|
HGTG30N60C3D, БТИЗ транзистор, 63 А, 1.8 В, 208 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
2-4 недели, 331 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
|
![]() |
2-4 недели, 331 шт. |
1 260 руб.
×
от 5 шт. — 1 120 руб.
от 10 шт. — 1 010 руб.
|
|
IXXH30N60B3D1, IXXH30N60B3D1 -IXYS SEMICONDUCTOR - БТИЗ транзистор, 60 А, 1.66 В, 270 Вт, 600 В, TO-247AD, 3 вывод(
2-4 недели, 2 шт.
Пр-во: Ixys
|
![]() |
2-4 недели, 2 шт. |
780 руб.
×
|
|
NGTB30N60L2WG, БТИЗ транзистор, 30 А, 1.4 В, 225 мВт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
2-4 недели, 1 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
|
![]() |
2-4 недели, 1 шт. |
350 руб.
×
|
|
еще 1 товар по запросу «30n60» | ||||
30n60 в группе «Позиции на заказ – Прочее»82 | ||||
IKW30N60DTPXKSA1, IGBT
6 дней, 60 шт.
Пр-во: Infineon
|
![]() |
6 дней, 60 шт. |
340 руб.
×
300 руб. |
|
SIHG30N60E-GE3, Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
3-5 недель, 353 шт.
Пр-во: Vishay
|
![]() |
3-5 недель, 353 шт. |
327 руб.
×
от 10 шт. — 326 руб.
|
|
SIHP30N60E-GE3, Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
3-5 недель, 500 шт.
Пр-во: Vishay
|
![]() |
3-5 недель, 500 шт. |
406 руб.
×
|
|
NGTB30N60IHLWG, Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
3-5 недель, 20 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
|
![]() |
3-5 недель, 20 шт. |
292 руб.
×
|
|
SIHP30N60E-E3, SIHP30N60E-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Arrow.com
3-5 недель, 975 шт.
Пр-во: Vishay
|
3-5 недель, 975 шт. |
450 руб.
×
|
||
еще 77 товаров по запросу «30n60» |