30n6091
Найдено в нескольких товарных группах91
| 30n60 в группе «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»39 | ||||
|
HGTG30N60A4, Транзистор IGBT 600В 75А, [TO-247]
1775 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
|
 быстрый просмотр |
1775 шт. |
390 руб.
×
от 15 шт. — 372 руб.
от 150 шт. — 370 руб.
|
|
|
HGTG30N60A4D, Транзистор IGBT 600В 60А [TO-247]
1252 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
|
быстрый просмотр |
1252 шт. |
580 руб.
×
от 15 шт. — 564 руб.
от 150 шт. — 562 руб.
|
|
|
IKW30N60H3FKSA1 (K30H603), Транзистор 600V 60A 187W [TO-247-3]
1040 шт.
Пр-во: Infineon
|
 быстрый просмотр |
1040 шт. |
290 руб.
×
от 15 шт. — 284 руб.
от 150 шт. — 281 руб.
|
|
|
IKW30N60TFKSA1 (K30T60), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 30А, [TO-247]
574 шт.
Пр-во: Infineon
|
 быстрый просмотр |
574 шт. |
470 руб.
×
от 15 шт. — 449 руб.
от 150 шт. — 447 руб.
|
|
|
HGTG30N60B3D, IGBT+диод 600В 60А [TO-247]
22 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
|
 быстрый просмотр |
22 шт. |
350 руб.
×
от 15 шт. — 336 руб.
от 150 шт. — 334 руб.
|
|
еще 34 товара по запросу «30n60» | ||||
| 30n60 в группе «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»14 | ||||
|
SIHP30N60E-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 29 А, 600 В, 0.104 Ом, 10 В, 2 В
8-9 дней, 1 шт.
Пр-во: Vishay
|
 быстрый просмотр |
8-9 дней, 1 шт. |
540 руб.
×
470 руб. |
|
|
SIHG30N60E-GE3, Транзистор MOSFET N-CH 600В 29A [TO-247AC]
3-5 недель, 129 шт.
Пр-во: Vishay
|
 быстрый просмотр |
3-5 недель, 129 шт. |
1 090 руб.
×
976 руб. от 10 шт. — 826 руб.
от 25 шт. — 768 руб.
|
|
|
FMV30N60S1, Транзистор Super J-MOS, N Канал, 600В, 30А [TO-220F(SLS)
2-3 недели, 206 шт.
Пр-во: Fuji Electric
|
 |
2-3 недели, 206 шт. |
540 руб.
×
|
|
|
IGW30N60H3FKSA1 IGBT транзистор IGW30N60H3 SP000852242 INF
5-7 дней, 98 шт.
Пр-во: Infineon
|
 быстрый просмотр |
5-7 дней, 98 шт. |
290 руб.
×
|
|
|
Транзистор 30N60HS \N\250\TO-247AC\
1-2 недели, 4 шт.
Пр-во: No trademark
|
 быстрый просмотр |
1-2 недели, 4 шт. |
1 890 руб.
×
|
|
еще 9 товаров по запросу «30n60» | ||||
| 30n60 в группе «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»8 | ||||
|
IXTQ30N60P, Транзистор N-MOSFET, 600В, 30А, 540Вт, TO3P, 500нс
10-12 дней, 59 шт.
Пр-во: Ixys
|
 быстрый просмотр |
10-12 дней, 59 шт. |
1 040 руб.
×
от 4 шт. — 900 руб.
|
|
|
IXFQ30N60X, Транзистор N-MOSFET, 600В, 30А, 500Вт, TO3P, 145нс
10-12 дней, 5 шт.
Пр-во: Ixys
|
|
10-12 дней, 5 шт. |
870 руб.
×
|
|
|
IXFP30N60X, Транзистор N-MOSFET, 600В, 30А, 500Вт, TO220-3, 145нс
10-12 дней, 1 шт.
Пр-во: Ixys
|
|
10-12 дней, 1 шт. |
890 руб.
×
|
|
|
IXTT30N60L2, Транзистор N-MOSFET, Linear L2™, полевой, 600В, 30А, 540Вт, TO268
10-12 дней, 4 шт.
Пр-во: Ixys
|
 быстрый просмотр |
10-12 дней, 4 шт. |
2 400 руб.
×
от 2 шт. — 2 180 руб.
|
|
|
SIHP30N60AEL-GE3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 18А, 250Вт, TO220AB
10-12 дней, 23 шт.
Пр-во: Vishay
|
 быстрый просмотр |
10-12 дней, 23 шт. |
860 руб.
×
от 6 шт. — 680 руб.
|
|
еще 3 товара по запросу «30n60» | ||||
| 30n60 в группе «Измерительная техника»3 | ||||
|
IXXH30N60B3D1, Транзистор БТИЗ, 600В, 30А, 270Вт, TO247AD
10-12 дней, 300 шт.
Пр-во: Ixys
|
 быстрый просмотр |
10-12 дней, 300 шт. |
970 руб.
×
от 5 шт. — 820 руб.
|
|
|
IXTH30N60L2, Транзистор N-МОП, полевой, 600В 30A 540Вт 0,24Ом TO247AD
10-12 дней, 4 шт.
Пр-во: Ixys
|
 быстрый просмотр |
10-12 дней, 4 шт. |
2 260 руб.
×
от 2 шт. — 1 990 руб.
|
|
|
IXFR30N60P, Транзистор N-MOSFET, 600В, 15А, 166Вт, ISOPLUS247™
10-12 дней, 10 шт.
Пр-во: Ixys
|
|
10-12 дней, 10 шт. |
1 450 руб.
×
от 3 шт. — 1 270 руб.
|
|
| 30n60 в группе «Транзисторы биполярные (BJTs)»2 | ||||
|
Транзистор 30N60A4D, тип IGBT N, 463 Вт, корпус TO-247AC
7-8 дней, 2 шт.
Пр-во: No trademark
|
|
7-8 дней, 2 шт. |
1 260 руб.
×
|
|
|
Транзистор 30N60A4, тип IGBT, 200 Вт, корпус TO-247
7-8 дней, 3 шт.
Пр-во: No trademark
|
 быстрый просмотр |
7-8 дней, 3 шт. |
990 руб.
×
|
|
