Главная › Результаты поиска «40n120»

40n120₅₃

40n120 в группе «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»₂₄
FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264] 1089 шт. Пр-во: ON Semiconductor	быстрый просмотр	1089 шт.	690 руб. × от 15 шт. — 663 руб. от 150 шт. — 659 руб.
IKQ40N120CT2XKSA1 (K40MCT2), Транзистор, IGBT TRENCHSTOP 2, 1200В, 40А, 2-20кГц, [PG-TO247-3] 68 шт. Пр-во: Infineon	быстрый просмотр	68 шт.	870 руб. × от 15 шт. — 846 руб. от 150 шт. — 844 руб.
IKW40N120H3FKSA1 (K40H1203), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1200В, 40А [PG-TO-247-3] 3 дня, 1 шт. Пр-во: Infineon	быстрый просмотр	3 дня, 1 шт.	740 руб. × от 15 шт. — 716 руб. от 150 шт. — 713 руб.
IKW40N120T2FKSA1 (K40T1202), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP 2, 1200В, 40А [PG-TO-247-3] 782 шт. Пр-во: Infineon	быстрый просмотр	782 шт.	840 руб. × от 15 шт. — 828 руб. от 150 шт. — 826 руб.
IRG8P40N120KDPBF, Транзистор, IGBT, 1200В 40А [TO-247] По запросу Пр-во: IR	быстрый просмотр	По запросу	250 руб. ×
еще 19 товаров по запросу «40n120»

40n120 в группе «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»₁₀
DACMI40N1200-DCO, Модуль, одиночный транзистор, 1,2кВ, 25А, SOT227B, винтами, SiC 10-12 дней, 3 шт. Пр-во: DACO	быстрый просмотр	10-12 дней, 3 шт.	8 440 руб. × от 2 шт. — 7 930 руб.
IXYH40N120C3, Транзистор 1200V 70A 577W TO247AD 1-2 недели, 30 шт. Пр-во: Littelfuse		1-2 недели, 30 шт.	2 170 руб. × от 5 шт. — 1 540 руб.
IXGH40N120C3D1, Транзистор 1200V 75A 180A TO247AD 1-2 недели, 26 шт. Пр-во: Littelfuse		1-2 недели, 26 шт.	2 690 руб. × от 5 шт. — 1 820 руб.
IXYH40N120C3D1, Транзистор 1200V 64A 480W TO247AD 1-2 недели, 14 шт. Пр-во: Littelfuse		1-2 недели, 14 шт.	2 740 руб. × от 5 шт. — 1 850 руб.
SCTW40N120G2V, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 36 А, 1.2 кВ, 0.07 Ом, HiP247 2-3 недели, 185 шт. Пр-во: ST Microelectronics	быстрый просмотр	2-3 недели, 185 шт.	3 870 руб. × от 5 шт. — 3 640 руб. от 10 шт. — 3 410 руб.
еще 5 товаров по запросу «40n120»

40n120 в группе «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»₁
NTH4L040N120SC1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 41А; Idm: 232А; 160Вт 10-12 дней, 6 шт. Пр-во: ON Semiconductor	быстрый просмотр	10-12 дней, 6 шт.	4 060 руб. × от 2 шт. — 3 530 руб. от 3 шт. — 3 220 руб.

40n120 в группе «Позиции на заказ»₁₈
IGW40N120H3 2 шт. Пр-во: Infineon	быстрый просмотр	2 шт.	1 930 руб. × от 2 шт. — 1 800 руб.
NGTB40N120FL2WAG, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 536000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube 3-5 недель, 1 шт. Пр-во: ON Semiconductor		3-5 недель, 1 шт.	783 руб. ×
IKW40N120H3 3-5 недель, 640 шт. Пр-во: Infineon	быстрый просмотр	3-5 недель, 640 шт.	8 290 руб. × от 10 шт. — 6 760 руб. от 30 шт. — 5 645 руб. от 100 шт. — 4 730 руб.
IKQ40N120CT2, IGBT 1200V 40A 1,75V TO247-3 3-5 недель, 15 шт. Пр-во: Infineon		3-5 недель, 15 шт.	1 180 руб. ×
IKY40N120CS6, IGBT 1200V 40A 1.85V TO247-4-2 3-5 недель, 10 шт. Пр-во: Infineon		3-5 недель, 10 шт.	700 руб. ×
еще 13 товаров по запросу «40n120»

40n12053

40n120₅₃