G30n6016
| g30n60 в группе «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)». 5 товаров | ||||
|
HGTG30N60A4, IGBT 600В 75А, [TO-247]
2578 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
|
 быстрый просмотр |
2578 шт. |
270 руб.
×
от 15 шт. — 260 руб.
от 150 шт. — 257 руб.
|
|
|
HGTG30N60A4D, IGBT+ диод 600В 75А [TO-247]
1636 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
|
быстрый просмотр |
1636 шт. |
330 руб.
×
от 15 шт. — 323 руб.
от 150 шт. — 321 руб.
|
|
|
HGTG30N60B3D, IGBT+диод 600В 60А [TO-247]
209 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
|
 быстрый просмотр |
209 шт. |
290 руб.
×
от 15 шт. — 276 руб.
от 150 шт. — 274 руб.
|
|
|
HGTG30N60B3, 60A/600V N-, Транзистор
3-5 недель, 330 шт.
Пр-во: Fairchild
|
 быстрый просмотр |
3-5 недель, 330 шт. |
240 руб.
×
от 10 шт. — 231 руб.
от 100 шт. — 218 руб.
|
|
|
HGTG30N60A4D
По запросу
Пр-во: ON Semiconductor
|
 быстрый просмотр |
По запросу |
240 руб.
×
|
|
| g30n60 в группе «Позиции на заказ – БТИЗ Одиночные». 1 товар | ||||
|
HGTG30N60C3D, БТИЗ транзистор, 63 А, 1.8 В, 208 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
2-4 недели, 839 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
|
быстрый просмотр |
2-4 недели, 839 шт. |
610 руб.
×
от 5 шт. — 537 руб.
от 10 шт. — 527 руб.
|
|
| g30n60 в группе «Позиции на заказ – Прочее». 10 товаров | ||||
|
G30N60A4D
4 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
|
4 шт. |
730 руб.
×
от 2 шт. — 650 руб.
от 4 шт. — 615 руб.
|
||
|
HGTG30N60B3
1 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
|
быстрый просмотр |
1 шт. |
770 руб.
×
|
|
|
HGTG30N60B3D, Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
3-4 недели, 1320 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
|
быстрый просмотр |
3-4 недели, 1320 шт. |
284 руб.
×
от 359 шт. — 244 руб.
|
|
|
SIHG30N60E-GE3, MOSFET N-CH 600V 29A LOW FOM TO247AC
8 дней, 43 шт.
Пр-во: Vishay
|
 быстрый просмотр |
8 дней, 43 шт. |
860 руб.
×
от 10 шт. — 550 руб.
от 25 шт. — 485 руб.
|
|
|
NGTG30N60FWG, IGBT 600V 30A LOW VCE TO247
8 дней, 10 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
|
быстрый просмотр |
8 дней, 10 шт. |
420 руб.
×
|
|
еще 5 товаров по запросу «g30n60» | ||||