G30n6018

g30n60 в группе «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»11
HGTG30N60A4, Транзистор IGBT 600В 75А, [TO-247]
1760 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
быстрый просмотр
1760 шт.
390 руб. ×
от 15 шт. — 372 руб.
от 150 шт. — 370 руб.
HGTG30N60A4D, Транзистор IGBT 600В 60А [TO-247]
1246 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
быстрый просмотр
1246 шт.
580 руб. ×
от 15 шт. — 564 руб.
от 150 шт. — 562 руб.
HGTG30N60B3D, IGBT+диод 600В 60А [TO-247]
22 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
быстрый просмотр
22 шт.
350 руб. ×
от 15 шт. — 336 руб.
от 150 шт. — 334 руб.
HGTG30N60B3D
По запросу
Пр-во: ON Semiconductor
быстрый просмотр
По запросу
340 руб. ×
3-5 недель,
1241 шт.
1 150 руб. ×
g30n60 в группе «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»3
SIHG30N60E-GE3, Транзистор MOSFET N-CH 600В 29A [TO-247AC]
3-5 недель, 129 шт.
Пр-во: Vishay
быстрый просмотр
3-5 недель,
129 шт.
998 руб. ×
от 10 шт. — 845 руб.
от 25 шт. — 786 руб.
SIHG30N60E-E3
3-5 недель, 8 шт.
Пр-во: Vishay
быстрый просмотр
3-5 недель,
8 шт.
1 210 руб. ×
быстрый просмотр
2-3 недели,
489 шт.
1 130 руб. ×
от 10 шт. — 867 руб.
от 100 шт. — 751 руб.
g30n60 в группе «Позиции на заказ»4
G30N60A4D
2 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
2 шт.
950 руб. ×
от 2 шт. — 870 руб.
HGTG30N60C3D
3-5 недель, 264 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
3-5 недель,
264 шт.
1 340 руб. ×
от 10 шт. — 1 210 руб.
от 100 шт. — 997 руб.
HGTG30N60A4, IGBT, 75 A 600 V, 3-Pin TO-247
8-9 дней, 14 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
8-9 дней,
14 шт.
750 руб. ×
от 6 шт. — 680 руб.
NGTG30N60FWG, Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
3-5 недель, 42 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
3-5 недель,
42 шт.
254 руб.
212 руб.
×