G30n6019

g30n60 в группе «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»4
HGTG30N60A4, IGBT 600В 75А, [TO-247]
2511 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
быстрый просмотр
2511 шт.
270 руб. ×
от 15 шт. — 260 руб.
от 150 шт. — 257 руб.
HGTG30N60A4D, IGBT+ диод 600В 75А [TO-247]
1152 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
быстрый просмотр
1152 шт.
330 руб. ×
от 15 шт. — 323 руб.
от 150 шт. — 321 руб.
HGTG30N60B3D, IGBT+диод 600В 60А [TO-247]
146 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
быстрый просмотр
146 шт.
290 руб. ×
от 15 шт. — 276 руб.
от 150 шт. — 274 руб.
HGTG30N60B3, 60A/600V N-, Транзистор
3-5 недель, 230 шт.
Пр-во: Fairchild
быстрый просмотр
3-5 недель,
230 шт.
384 руб.
223 руб.
×
g30n60 в группе «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»1
SIHG30N60E-GE3, Транзистор MOSFET N-CH 600В 29A [TO-247AC]
5-6 недель, 476 шт.
Пр-во: Vishay
быстрый просмотр
5-6 недель,
476 шт.
452 руб. ×
от 10 шт. — 400 руб.
от 30 шт. — 370 руб.
от 100 шт. — 318 руб.
g30n60 в группе «Позиции на заказ – БТИЗ Одиночные»1
быстрый просмотр
2-4 недели,
325 шт.
1 250 руб. ×
от 5 шт. — 1 110 руб.
от 10 шт. — 997 руб.
g30n60 в группе «Позиции на заказ – Прочее»13
G30N60A4D
4 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
4 шт.
760 руб. ×
от 2 шт. — 670 руб.
от 4 шт. — 630 руб.
HGTG30N60B3
1 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
быстрый просмотр
1 шт.
760 руб. ×
SIHG30N60E-GE3
3-4 недели, 417 шт.
Пр-во: Vishay Siliconix
3-4 недели,
417 шт.
1 140 руб. ×
от 10 шт. — 960 руб.
от 25 шт. — 898 руб.
от 100 шт. — 769.29 руб.
SIHG30N60E-E3
3-4 недели, 19 шт.
Пр-во: Vishay
быстрый просмотр
3-4 недели,
19 шт.
1 040 руб. ×
от 10 шт. — 910 руб.
NGTG30N60FWG
3-4 недели, 168 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
быстрый просмотр
3-4 недели,
168 шт.
630 руб. ×
от 10 шт. — 530 руб.
от 100 шт. — 458 руб.