G30n6019
g30n60 в группе «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»4 | ||||
HGTG30N60A4, IGBT 600В 75А, [TO-247]
2511 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
|
![]() |
2511 шт. |
270 руб.
×
от 15 шт. — 260 руб.
от 150 шт. — 257 руб.
|
|
HGTG30N60A4D, IGBT+ диод 600В 75А [TO-247]
1152 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
|
![]() |
1152 шт. |
330 руб.
×
от 15 шт. — 323 руб.
от 150 шт. — 321 руб.
|
|
HGTG30N60B3D, IGBT+диод 600В 60А [TO-247]
146 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
|
![]() |
146 шт. |
290 руб.
×
от 15 шт. — 276 руб.
от 150 шт. — 274 руб.
|
|
HGTG30N60B3, 60A/600V N-, Транзистор
3-5 недель, 230 шт.
Пр-во: Fairchild
|
![]() |
3-5 недель, 230 шт. |
384 руб.
×
223 руб. |
|
g30n60 в группе «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»1 | ||||
SIHG30N60E-GE3, Транзистор MOSFET N-CH 600В 29A [TO-247AC]
5-6 недель, 476 шт.
Пр-во: Vishay
|
![]() |
5-6 недель, 476 шт. |
452 руб.
×
от 10 шт. — 400 руб.
от 30 шт. — 370 руб.
от 100 шт. — 318 руб.
|
|
g30n60 в группе «Позиции на заказ – БТИЗ Одиночные»1 | ||||
HGTG30N60C3D, БТИЗ транзистор, 63 А, 1.8 В, 208 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
2-4 недели, 325 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
|
![]() |
2-4 недели, 325 шт. |
1 250 руб.
×
от 5 шт. — 1 110 руб.
от 10 шт. — 997 руб.
|
|
g30n60 в группе «Позиции на заказ – Прочее»13 | ||||
G30N60A4D
4 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
|
4 шт. |
760 руб.
×
от 2 шт. — 670 руб.
от 4 шт. — 630 руб.
|
||
HGTG30N60B3
1 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
|
![]() |
1 шт. |
760 руб.
×
|
|
SIHG30N60E-GE3
3-4 недели, 417 шт.
Пр-во: Vishay Siliconix
|
3-4 недели, 417 шт. |
1 140 руб.
×
от 10 шт. — 960 руб.
от 25 шт. — 898 руб.
от 100 шт. — 769.29 руб.
|
||
SIHG30N60E-E3
3-4 недели, 19 шт.
Пр-во: Vishay
|
![]() |
3-4 недели, 19 шт. |
1 040 руб.
×
от 10 шт. — 910 руб.
|
|
NGTG30N60FWG
3-4 недели, 168 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
|
![]() |
3-4 недели, 168 шт. |
630 руб.
×
от 10 шт. — 530 руб.
от 100 шт. — 458 руб.
|
|
еще 8 товаров по запросу «g30n60» |