Мой регион: Россия

G30n6012

g30n60 в группе «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)». 4 товара
HGTG30N60A4, IGBT 600В 75А, [TO-247]
1385 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
1385 шт.
210 руб. ×
от 15 шт. — 200 руб.
от 150 шт. — 198 руб.
HGTG30N60A4D, IGBT+ диод 600В 75А [TO-247]
870 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
870 шт.
260 руб. ×
от 15 шт. — 249 руб.
от 150 шт. — 247 руб.
HGTG30N60B3D, IGBT+диод 600В 60А [TO-247]
86 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
86 шт.
230 руб. ×
от 15 шт. — 213 руб.
от 150 шт. — 211 руб.
HGTG30N60B3, 60A/600V N-
2-3 недели, 507 шт.
Пр-во: Fairchild
2-3 недели,
507 шт.
500 руб. ×
от 10 шт. — 416 руб.
от 100 шт. — 360 руб.
g30n60 в группе «Позиции на заказ – Прочее». 8 товаров
HGTG30N60C3D
2-3 недели, 1024 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
2-3 недели,
1024 шт.
790 руб. ×
от 5 шт. — 719 руб.
от 10 шт. — 649 руб.
NGTG30N60FWG, Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
3-4 недели, 42 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
3-4 недели,
42 шт.
340 руб. ×
от 10 шт. — 301 руб.
NGTG30N60FLWG, Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
3-4 недели, 30 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
3-4 недели,
30 шт.
383 руб. ×
от 10 шт. — 322 руб.
HGTG30N60C3D, PWR IGBT UFS 30A 600V W/DIODE
3-4 недели, 426 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
3-4 недели,
426 шт.
696 руб. ×
от 10 шт. — 639 руб.
от 100 шт. — 523 руб.
SIHG30N60E-GE3, MOSFET N-CH 600V 29A LOW FOM TO247AC
1-2 недели, 30 шт.
Пр-во: Vishay
1-2 недели,
30 шт.
390 руб. ×