Главная › Результаты поиска «g30n60»

G30n60₁₈

g30n60 в группе «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»₁₁
HGTG30N60A4, Транзистор IGBT 600В 75А, [TO-247] 1760 шт. Пр-во: ON Semiconductor	быстрый просмотр	1760 шт.	390 руб. × от 15 шт. — 372 руб. от 150 шт. — 370 руб.
HGTG30N60A4D, Транзистор IGBT 600В 60А [TO-247] 1246 шт. Пр-во: ON Semiconductor	быстрый просмотр	1246 шт.	580 руб. × от 15 шт. — 564 руб. от 150 шт. — 562 руб.
HGTG30N60B3D, IGBT+диод 600В 60А [TO-247] 22 шт. Пр-во: ON Semiconductor	быстрый просмотр	22 шт.	350 руб. × от 15 шт. — 336 руб. от 150 шт. — 334 руб.
HGTG30N60B3D По запросу Пр-во: ON Semiconductor	быстрый просмотр	По запросу	340 руб. ×
HGTG30N60C3D, БТИЗ транзистор, 63 А, 1.8 В, 208 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов) 3-5 недель, 1241 шт. Пр-во: ON Semiconductor		3-5 недель, 1241 шт.	1 150 руб. ×
еще 6 товаров по запросу «g30n60»

g30n60 в группе «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»₃
SIHG30N60E-GE3, Транзистор MOSFET N-CH 600В 29A [TO-247AC] 3-5 недель, 129 шт. Пр-во: Vishay	быстрый просмотр	3-5 недель, 129 шт.	998 руб. × от 10 шт. — 845 руб. от 25 шт. — 786 руб.
SIHG30N60E-E3 3-5 недель, 8 шт. Пр-во: Vishay	быстрый просмотр	3-5 недель, 8 шт.	1 210 руб. ×
SIHG30N60E-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 29 А, 600 В, 0.104 Ом, 10 В, 2 В 2-3 недели, 489 шт. Пр-во: Vishay	быстрый просмотр	2-3 недели, 489 шт.	1 130 руб. × от 10 шт. — 867 руб. от 100 шт. — 751 руб.

g30n60 в группе «Позиции на заказ»₄
G30N60A4D 2 шт. Пр-во: ON Semiconductor		2 шт.	950 руб. × от 2 шт. — 870 руб.
HGTG30N60C3D 3-5 недель, 264 шт. Пр-во: ON Semiconductor		3-5 недель, 264 шт.	1 340 руб. × от 10 шт. — 1 210 руб. от 100 шт. — 997 руб.
HGTG30N60A4, IGBT, 75 A 600 V, 3-Pin TO-247 8-9 дней, 14 шт. Пр-во: ON Semiconductor		8-9 дней, 14 шт.	750 руб. × от 6 шт. — 680 руб.
NGTG30N60FWG, Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 3-5 недель, 42 шт. Пр-во: ON Semiconductor		3-5 недель, 42 шт.	254 руб. 212 руб. ×

G30n6018

G30n60₁₈