Транзисторы IR 150-200 В с предельно низким зарядом затвора
Опубликовано 19.02.2011
Ведущий Виталий Дудкин
Cерия HEXFET полевых транзисторов на напряжения 150 и 200 В производства компании International Rectifier обладает ультра низким зарядом затвора (Qg) и подходит для таких промышленных применений, как импульсные источники питания, источники бесперебойного питания ...
Товары, упомянутые в ролике
![IRFB4620PBF, Транзистор N-канал 200В 25А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413065.jpg)
