15C02CH-TL-E, Биполярный транзистор, NPN, 15 В, 400 МГц, 700 мВт, 1 А, 300 hFE

Фото 2/2 15C02CH-TL-E, Биполярный транзистор, NPN, 15 В, 400 МГц, 700 мВт, 1 А, 300 hFE
Фото 1/2 15C02CH-TL-E, Биполярный транзистор, NPN, 15 В, 400 МГц, 700 мВт, 1 А, 300 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8498362841
Артикул: 15C02CH-TL-E
Производитель: ON Semiconductor
41 руб.
2980 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 25 шт. — 29 руб.
от 100 шт. — 17 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 205 руб.

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Small Signal NPN Transistors, ON Semiconductor

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер 15В
Стиль Корпуса Транзистора sot-23
Рассеиваемая Мощность 700мВт
Полярность Транзистора npn
DC Ток Коллектора
DC Усиление Тока hFE 300hFE
Частота Перехода ft 400МГц
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 280 mV
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Operating Frequency 400 MHz
Number of Elements per Chip 1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 1.2 V
Length 2.9мм
Maximum Collector Base Voltage 20 V
Transistor Configuration Single
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 15 V
Package Type CPH
Maximum Power Dissipation 700 mW
Mounting Type Поверхностный монтаж
Width 1.6мм
Maximum DC Collector Current 1 A
Transistor Type NPN
Height 0.9мм
Pin Count 3
Dimensions 2.9 x 1.6 x 0.9mm
Maximum Emitter Base Voltage 5 В
Minimum DC Current Gain 300
Вес, г 0.002

Дополнительная информация

Datasheet 15C02CH-TL-E

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.