1MBI1600U4C-170, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 2.4 кА, 2.47 В, 9.76 кВт, 1.7 кВ, Module

PartNumber: 1MBI1600U4C-170
Ном. номер: 8116745118
Производитель: Fuji Electric
1MBI1600U4C-170, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 2.4 кА, 2.47 В, 9.76 кВт, 1.7 кВ, Module
Доступно на заказ 7 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
Бесплатная доставка по всей России
50 820 руб. × = 50 820 руб.
или
купить в 1 клик
от 5 шт. — 46 800 руб.

Описание

The 1MBI1600U4C-170 is an IGBT Module for use with AC and DC servo drive amplifier and industrial machines, such as welding machines.

• High speed switching
• Voltage drive
• Low inductance module structure

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Массивы и Модули

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
7вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
1.7кВ
Стиль Корпуса Транзистора
Module
Рассеиваемая Мощность
9.76кВт
Полярность Транзистора
Двойной N Канал
DC Ток Коллектора
2.4кА
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
2.47В

Дополнительная информация

Datasheet 1MBI1600U4C-170