1N4150TAP, Switching Diode, 300mA 50V, 2-Pin DO-35 1N4150TAP

Фото 1/4 1N4150TAP, Switching Diode, 300mA 50V, 2-Pin DO-35 1N4150TAP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
21 руб.
Кратность заказа 500 шт.
Добавить в корзину 500 шт. на сумму 10 500 руб.
Номенклатурный номер: 8014597917
Артикул: 1N4150TAP

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Switching Diodes
Описание Диод: выпрямительный, THT, 50В, 0,15А, Ifsm: 4А, DO35, Ufmax: 1В, 4нс Характеристики
Категория Диод
Тип выпрямительный

Технические параметры

Diameter 1.7mm
Diode Configuration Single
Maximum Diode Capacitance 2.5pF
Maximum Forward Current 300mA
Maximum Forward Voltage Drop 1V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Reverse Voltage 50V
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type DO-35
Pin Count 2
Power Dissipation 500mW
Base Product Number 1N4150 ->
Capacitance @ Vr, F 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 150mA
Current - Reverse Leakage @ Vr 100nA @ 50V
Diode Type Standard
ECCN EAR99
HTSUS 8541.10.0070
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Operating Temperature - Junction -65В°C ~ 175В°C
Package Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
Package / Case DO-204AH, DO-35, Axial
REACH Status REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr) 4ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
Speed Small Signal =
Supplier Device Package DO-35
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 50V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1V @ 200mA
Average Forward Current 150мА
Forward Surge Current
Forward Voltage Max 920мВ
Repetitive Peak Reverse Voltage 50В
Reverse Recovery Time 4нс
Квалификация AEC-Q101
Количество Выводов 2вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Стиль Корпуса Диода DO-204AH
Тип Монтажа Диода Сквозное Отверстие

Техническая документация

Datasheet
pdf, 266 КБ
Datasheet
pdf, 99 КБ
Datasheet
pdf, 76 КБ
Datasheet
pdf, 68 КБ
Datasheet 1N4150TAP
pdf, 75 КБ