1N5821 R0, Rectifier diode, R

PartNumber: 1N5821 R0
Ном. номер: 8037227506
Производитель: Taiwan Semiconductor
1N5821 R0, Rectifier diode, R
Доступно на заказ более 200 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
24 руб. × = 2 400 руб.
Количество товаров должно быть кратно 100 шт.
от 500 шт. — 16 руб.
от 1000 шт. — 12.86 руб.

Описание

Schottky Barrier Diodes, 2A to 9A, Taiwan Semiconductor

Low power loss
Low foward voltage drop
High current capability

Diodes and Rectifiers, Taiwan Semiconductor

Semiconductors

Технические параметры

размеры
5.6 x 9.5 x 5.6mm
Diode Type
Schottky
высота
5.6mm
длина
9.5mm
Maximum Continuous Forward Current
3A
максимальная рабочая температура
+125 °C
Minimum Operating Temperature
-65 °C
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
DO-201AD
Peak Forward Voltage
0.9V
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
0.07kA
Peak Reverse Current
0.5mA
Peak Reverse Repetitive Voltage
30V
Pin Count
2
ширина
5.6mm
Diode Configuration
Single

Дополнительная информация

1N5820 THRU 1N5822 3.0 AMPS. Schottky Barrier Rectifiers Data Sheet 1N5821 R0