1N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 1А 8Вт 8.5Ом [SOT-223.]

1N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 1А 8Вт 8.5Ом [SOT-223.]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Номенклатурный номер
9001106016
Артикул
1N60G
Структура
N-канал
Крутизна характеристики, S
0.5
Корпус
SOT-223
Вес, г
0.39
Все параметры
Datasheet UMW 1N60
pdf, 1531 КБ
3845 шт. со склада г.Москва
15 руб.
от 50 шт.12 руб.
от 500 шт.10 руб.
1 шт. на сумму 15 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
600V 1A 11¦¸@10V, 500mA 4V@250¦ÌA N Channel SOT-223 MOSFETs ROHS
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 8.5 Ом/0.5А, 10В
Крутизна характеристики, S 0.5
Корпус SOT-223
Вес, г 0.39
Datasheet UMW 1N60
pdf, 1531 КБ

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.