1N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 1А 8Вт 8.5Ом [SOT-223.]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Номенклатурный номер
9001106016
Артикул
1N60G
Структура
N-канал
Крутизна характеристики, S
0.5
Корпус
SOT-223
Вес, г
0.39
Все параметры
Datasheet UMW 1N60
pdf, 1531 КБ
3845 шт. со склада г.Москва
15 руб.
от 50 шт. —
12 руб.
от 500 шт. —
10 руб.
1 шт.
на сумму 15 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Отзывы
600V 1A 11¦¸@10V, 500mA 4V@250¦ÌA N Channel SOT-223 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 8.5 Ом/0.5А, 10В | |
| Крутизна характеристики, S | 0.5 | |
| Корпус | SOT-223 | |
| Вес, г | 0.39 |
Техническая документация
Datasheet UMW 1N60
pdf, 1531 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.




