2Д503Б, 1991г.

2Д503Б
Диоды 2Д503Б кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные.
Предназначены для применения в качестве переключающих элементов в импульсных быстродействующих устройствах наносекундного диапазона.
Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах специального назначения.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Для обозначения типа и полярности диодов используются условная маркировка цветовым кодом
- для 2Д503А - два белых кольца со стороны катодного вывода;
- для 2Д503Б - два синих кольца со стороны катодного вывода.
Тип корпуса: КД-121, масса не более 0,3 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
- приемка «5» ТТ3.362.096ТУ.
Срок сохраняемости диодов не менее 25 лет с даты изготовления.

Основные технические характеристики диода 2Д503Б:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 30 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 20 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 350 мГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 10 мкА при Uoбp 30 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,01 мкс;
• Сд - Общая емкость: 2,5 пФ