2N3904TFR, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 300 МГц, 625 мВт, 200 мА, 30 hFE

Фото 2/3 2N3904TFR, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 300 МГц, 625 мВт, 200 мА, 30 hFEФото 3/3 2N3904TFR, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 300 МГц, 625 мВт, 200 мА, 30 hFE
Фото 1/3 2N3904TFR, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 300 МГц, 625 мВт, 200 мА, 30 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8589818679
Артикул: 2N3904TFR
Производитель: ON Semiconductor
23 руб.
3545 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 25 шт. — 17 руб.
от 100 шт. — 9.20 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
7 руб. 7 дней, 3600 шт. 200 шт. 200 шт.
от 1000 шт. — 6 руб.
от 2000 шт. — 5.10 руб.
2.80 руб. 3-4 недели, 4000 шт. 2000 шт. 4000 шт.
8.50 руб. 3-4 недели, 1740 шт. 10 шт. 20 шт.
от 100 шт. — 6.40 руб.
от 300 шт. — 6 руб.
от 1000 шт. — 5.60 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

The 2N3904TFR is a 40V NPN Bipolar (BJT) Single Transistor, designed as a general purpose amplifier and switch. The useful dynamic range extends to 100mA as a switch and to 100MHz as an amplifier. This product is general usage and suitable for many different applications.

• 60V Collector to base voltage (VCBO)
• 6V Emitter to base voltage (VEBO)
• 83.3°C/W Thermal resistance, junction to case
• 125°C/W Thermal resistance, junction to ambient
• 50ns Fall time (TA = 25°C)

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер 40В
Стиль Корпуса Транзистора to-92
Рассеиваемая Мощность 625мВт
Полярность Транзистора npn
DC Ток Коллектора 200ма
DC Усиление Тока hFE 30hFE
Частота Перехода ft 300МГц
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 0.3 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Operating Frequency 300 MHz
Number of Elements per Chip 1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 0.95 V
Length 5.2мм
Transistor Configuration Одинарный
Maximum Collector Base Voltage 60 В
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 40 В
Package Type TO-92
Maximum Power Dissipation 625 mW
Mounting Type Монтаж на плату в отверстия
Minimum Operating Temperature -50 °C
Width 4.19mm
Maximum DC Collector Current 200 мА
Transistor Type NPN
Height 5.33mm
Pin Count 3
Dimensions 5.2 x 4.19 x 5.33mm
Maximum Emitter Base Voltage 6 V
Minimum DC Current Gain 30
Вес, г 0.417

Дополнительная информация

Datasheet 2N3904TFR
Datasheet 2N3904TFR

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.