2N5416, Транзистор PNP 350В 1А 10Вт [TO-39]

Артикул: 2N5416
Ном. номер: 24388
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/2 2N5416, Транзистор PNP 350В 1А 10Вт [TO-39]
Фото 2/2 2N5416, Транзистор PNP 350В 1А 10Вт [TO-39]
Есть в наличии 35 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Возможна срочная доставка сегодня
90 руб. × = 90 руб.
от 50 шт. — 75 руб.
от 500 шт. — по запросу
Цена и наличие в магазинах

Описание

The 2N5416 is a -300V Silicon PNP High Voltage Transistor ideal for high speed switching and linear amplifier appliances in military, industrial and commercial equipment.

• Collector-base voltage(Vcbo = 350V)
• Emitter-base voltage(Vebo = 6V)

Технические параметры

Структура
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
350
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
Корпус

Техническая документация

2N5415, 2N5416
pdf, 46 КБ

Дополнительная информация

Datasheet 2N5416