Мой регион:
Режим цен:
Добавить к сравнению Сравнить ()

2N5416, Транзистор PNP 350В 1А 10Вт [TO-39]

Артикул: 2N5416
Ном. номер: 24388
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/2 2N5416, Транзистор PNP 350В 1А 10Вт [TO-39]
Фото 2/2 2N5416, Транзистор PNP 350В 1А 10Вт [TO-39]
Есть в наличии более 50 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1-2 рабочих дня.
Возможна срочная доставка сегодня
90 × = 90
от 50 шт. — 75 руб.
от 500 шт. — по запросу
Цена и наличие в магазинах

Описание

The 2N5416 is a -300V Silicon PNP High Voltage Transistor ideal for high speed switching and linear amplifier appliances in military, industrial and commercial equipment.

• Collector-base voltage(Vcbo = 350V)
• Emitter-base voltage(Vebo = 6V)

Технические параметры

Структура
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
350
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
Корпус

Техническая документация

2N5415, 2N5416
pdf, 46 КБ

Дополнительная информация

Datasheet 2N5416
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов